一种垂直功率MOSFET半导体器件.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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一种垂直功率MOSFET半导体器件.pdf

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本发明公开了一种垂直功率MOSFET半导体器件，包括基底，基底的侧面水平开设有安装槽，基底的内部设置有半导体栅极，半导体栅极设置在安装槽的内部，半导体栅极的外端与安装槽的内部位置之间设置有支撑部，基底的内部与长管的前端位置处设置有降温部，基底的上端设置有散热部。本发明通过支撑方形管也可以对内端的半导体栅极起到保护性的支撑，硅脂可以将半导体栅极的温度降低，当插板从插槽的内部取出的时候，可以添加新的硅脂，将导热卡接板插入到竖直槽的内部之后，导热卡接板上端的水平板、连接板、垂直板均起到了导热效果，同时

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114783965 A (43)申请公布日 2022.07.22 (21)申请号 202210382062.8 H01L 29/78 (2006.01) (22)申请日 2022.04.