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Class exercise;;Chapter 10 ;What is the memory like ?;Memory ;Read only memory (ROM) 只读存储器;;;Read only memory (ROM) ;Read only memory (ROM) ;A0;;Memory ;Memory ;Memory ;Memory ;Memory ;Read only memory (ROM) ;9.1.4 Commercial ROM Types;Read only memory (ROM) ;Random access memory (RAM) ;Static RAM (SRAM) ;Dynamic RAM (DRAM) ;Memory IC: ROM ;Memory IC: RAM ;;三．存储器外部信号引线： D0～7数据线：传送存储单元内容。
根数与单元数据位数相同。
A0～9地址线：选择芯片内部一个存储单元。根数由存储器容量决定。;Intel6116存储芯片的工作过程如下： 读出时，地址输入线A10-A0送来的地址信号经行地址译码器和列地址译码器，经译码后选中一个存储单元，（8个基本存储体），由控制线构成读出逻辑，打开8个三态门，被选中单元的8位数据经I/O电路和三态门送到D7-D0输出。 写入时，地址选中某一存储单元的方法和读出相同，不过这时控制逻辑状态不同，为写逻辑。打开左边的三态门和输入数据控制电路，送到I/O电路，从而写到存储单元的8个存储位中。; 不同的存储器芯片，其存储容量是不同的。例如某一半导体存储器芯片，共有4K个存储单元，每个单元存储8位二进制信息，则该芯片的存储容量是4K×8bits或4K字节，简称4KB。 ;2．存取速度
存取速度是反映存储器工作速度的指标，它直接影响计算机主机的运行速度。存取速度常用存储器存取时间和存储周期来表示。
存取时间是指从启动一次存储器读／写操作到完成该操作所经历的时间。半导体存储器的最大存取时间为十几ns到几百ns。
存储周期是指启动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔。通常存储周期略大于存取时间，这取决于存储器的具体结构及工作机制。 ; 4．读写线OE、WE(R/W)
连接读写控制线RD、WR。;存储器芯片的扩充;例1用2K×1位存储器芯片组成 2K×8位存储器系统。;例2用2K×8位存储器芯片组成2K×16位存储器系统。;二.扩充存储器容量;;; 2．译码片选法 3-8 地址译码器：74LS138
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