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1 引言 氮化镓功率器件能够有效提高功率电子系统的能量转换效率，有望更新传统的电源系统.其中具有代表性的GaN基高电子迁移率晶体管（High Electron Mobility Transistor，HEMT）在高频、高功率、高压领域具有广阔的应用前景. 出于安全性和低静态功耗的考虑，增强型GaN HEMT比耗尽型GaN HEMT更具有优势.在几种实现增强型GaN HEMT技术中，p-GaN栅技术成熟、成本低、效果好，成为商业化的首选结构［1~3］. 在使用p-GaN HEMT功率器件进行电路设计时，需要一个可靠、准确、收敛性好的SPICE（Simulation Program with In
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