晶圆厂HOOKUP系统简介.pdfVIP

工作特点 1 ． 晶圆厂简介 2 ． 晶圆厂所需气体之特性与功能 3 ． 晶圆厂所需化学物质及其特性 4 ． 工作内容 1 ． 晶圆厂简介 晶圆厂是生产芯片的现代化厂房，其要紧工作场所为无尘室。无尘室是恒温恒湿的， 温度为 21°C。相对湿度为 65%。一样晶圆厂无尘室分为扩散区（炉管区）、黄光区、 蚀刻区、薄膜区。 2 ． 晶圆厂所需气体之特性及功能 由于制程上的需要，在半导体工厂利用了许多种类的气体。一样咱们皆以气体特性 来区分。可分为特殊气体及一样气体两大类。前者为利用量较小之气体。如 SiH4、 NF3 等。后者为利用量较大之气体。如 N 二、CDA 等。因用量较大；一样气体常以 “大宗气体”称之。即Bulk Gas。特气—Specialty Gas。 2-1 Bulk Gas 在半导体制程中，需提供各类高纯度的一样气体利用于气动设备动 力、化学品输送压力介质或用作惰性环境，或参与反映或去除杂质度等不同功能。 目前由于半导体制程日趋精进，其所要求气体纯度亦日趋提并。以下将简述 半导体厂一样气体之品质要求及所需配合之设备及功能。 2-1-1 大宗气体种类： 半导体厂能利用的大宗气体，一样有 CDA、GN 二、PN 二、PAr、PO 二、PH 二、 PH 等 7 种。 2-1-2 大宗气体的制造： 1 CDA/ICA(Clean Dry Air)干净干燥空气。 CDA 之来源取之于大气经紧缩机紧缩后除湿，再通过滤器或活性炭吸附去除粉 尘及碳氢化合物以供给无尘室 CDA/ZCD。 CDA System:空气紧缩机 缓衡贮存槽 冷却干燥机 过滤器 CDA 2 GN2 利用紧缩机紧缩冷却气体成液态气体。经触媒转化器，将 CO 反映成 CO2 ，将 H2 反映成 H2O ，再由分筛吸附CO 二、H2O ，再经分溜分离O2CnHm。 N2=°C O2=-183°C PN2 将 GN2 经由纯化器(Purifier)纯化处置，产生高纯度的 N2。 一样液态原氮的纯度为% 经纯化器纯化过的氮的纯度为% GN2PN2 System(见附图) 3 PO2 经紧缩机紧缩冷却气体成液态气体，经二次分溜取得 99%以上纯度之 O2 ，再 除去 N 二、Ar、CnHm。另外可由电解方式解离 H2O2 PO2 System （见附图） 4 PAr 经紧缩机紧缩冷却气体成液态气体，经二次分溜取得%以上纯度之氩气。因 Ar 在空气中含量仅%。生产本钱相对较高。 PAr System (见附图) 5 PH2 经紧缩机紧缩冷却气体成液态气体，经二次分溜取得 %以上纯度之 H2。另外可由 H2O 电解解离 H2O2。制程廉价但危险性高易触发爆炸。 PH2 System (见附图) 6 PHe 由稀有富含 He 的天然气中提炼，其主产地为美国及俄罗斯。利用紧缩机紧缩冷 却气体为液态气体，易由分溜取得。 He lium=°C Methane (甲烷)= °C PHe System (见附图) 2-1-3 大宗气体在半导体厂中的用途 CDA 要紧供给FAB 内气动设备动力气源及吹净(Purge),Local Scurruber 助燃。 ICA 要紧供给厂务系统气动设备动力气源及吹净。 N2 要紧供给部份气动设备气源或供给吹净、稀释惰性气体环境及化学品输送 压力来源。 O2 供给 ETCH 制程氧化剂所需及 CPCVD 制程中供给氧化制程用，供给 O3 Generator 所需之O2 供给及其他制程所需。 Ar 供给Sputter 制程，离子溅镀热传导介质，Chamber 稀释及惰性气体环境。 H2 供给炉管设备燃烧造成混氧环境，POLY 制程中做H2 BAKE 之用。W-PLUG 制程中作为WF6 之还原反映气体及其他制程所需。 He 供给化学品输送压力介质及制程晶片冷却。 Bulk Gas 虽不像Specialty