CVD与薄膜工艺章演示文稿.pptVIP

图 2-6 Ga-AsH3-PH3-HCl-H2 系统沉积GaAs1-xPx CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 当前31页，共55页，星期日。 SiHCl3+H2=Si+3HCl(热丝CVD） 氯硅烷氢还原法生产多晶硅装置简图 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 当前32页，共55页，星期日。 碘封管化学输运生长硒化锌单晶 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 当前33页，共55页，星期日。 Plasma-Enhanced CVD CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 当前34页，共55页，星期日。 ECR-CVD(ECR: electron cyclotron resonance) CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 当前35页，共55页，星期日。 MBE Growth Ultra high vacuum Mass spectrocopy Auger electron spectroscopy Low energy electron diffraction Reflection high energy electron diffraction X-ray and Ultraviolet photoemission spectroscopy Ref: Yu-Cardona CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 当前36页，共55页，星期日。 (a) phosphoric anhydride, (b) sodium hydrate particle, (c) ball valve, (d) flowmeter, (e) spongy titanium, (f) aluminum chloride (purity 98%), (g) ribbon heater, (h) MoSi2 heater, (i) thermocouple, (j) quartz tube reactor, (k) pressure gauge, (l) vacuum pump, (m) powder collection flask, (n) NaOH solution. 热CVD制备AlN纳米粉体 AlCl3 － NH3 － N2 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 当前37页，共55页，星期日。 PECVD (plasma enhanced CVD) CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 当前38页，共55页，星期日。 LPCVD (low pressure CVD) End-feed LPCVD Distributed-feed LPCVD CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 当前39页，共55页，星期日。 CVD与薄膜工艺章演示文稿 当前1页，共55页，星期日。 CVD与薄膜工艺章 当前2页，共55页，星期日。 Ch.2 化学气相淀积的化学原理和装置技术 2.1 CVD的化学反应体系 2.2 CVD先驱物(Precursors) 2.3 CVD反应器技术 2.4 CVD技术分类 1）从源物质的种类- 卤化物CVD，MOCVD，Aero-sol（AA）CVD， 2）从体系操作压力- 常压CVD（AMCVD），低压CVD（LPCVD） 3）从CVD能量提供方式：PECVD（rf，MW），LACVD，PhotoCVD 4）从淀积装置结构形式：开管气流CVD，封管CVD，连续CVD 5）从操作模式角度：CA-CVD，Al-CVD CVD课程第2章 USTC材料科学与工程系 当前3页，共55页，星期日。 2.1 CVD的化学反应体系 －（1） 热解反应 ?元素氢化物热解 氢化物M-H键的离解能、键能都比较小，热解温度低，唯一副产物是没有腐蚀性的氢气。例如： ?金属有机化合物 金属的烷基化合物，其M—C键能一般小于C－C键能[E(M—C)＜E(C-C)]，可用于淀积金属膜。 元素的氧烷，由于E(M－O)＞E(O－C)，所以可用来淀积氧化物。例如： CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 当前4页，共55页，星期日。 2.1 CVD的反应体系-热解反应（续） ?氢化物和金属有机化合物体系 热解金属有机化合物和氢化物已成功地制备出许多种III-V族和II-IV族化合物。例如 CVD课程第2章 USTC固态化学与无机膜研究所 当前5页，共55页，星期日。 2.1 CVD的反应体系－热解反应续） ?其它气态络合物 这一类化合物中的羰基化物和羰氯化物多用于贵金后(铂族)和其它过渡金属的淀积。如： ?单氨络合物已用于热解制备氮化物。如： C