模拟ic的分析与设计l07-3 cmos单级放大器上.pptxVIP

模拟IC设计基础; 单级放大器 Ch. 3 # 2;CMOS单级放大器;CMOS单级放大器;CMOS单级放大器;CMOS单级放大器;;;CMOS单级放大器;nmos管的大信号特性　;输出特性;大信号模型的推导思路;饱和特性;大信号ＭＯＳ管的工作区域;　ＮＭＯＳ管的电流方程 NMOS管在截止区、 线性区、 恒流区的电流方程;跨导特性;MOS管小信号模型;(1)MOS管交流小信号模型---低频;几个重要的参数;饱和区MOS管的跨导gm;饱和区MOS管的跨导;饱和区MOS管的gmb;饱和区MOS管的gmb;饱和区MOS管的输出电阻;增益AV;MOS管的最高工作频率 ft;　MOS管的最高工作频率;(2)MOS管交流小信号模型---高频;MOS管的高频小信号电容; 栅与沟道之间的栅氧电容 C2=WLCox，其中Cox为单位面积栅氧电容εox/tox； 沟道耗尽层电容： 　 交叠电容（多晶栅覆盖源漏区所形成的电容，每单位宽度的交叠电容记为Col）： 包括栅源交叠电容C1＝WdCol与栅漏交叠电容C4=WdCol：;MOS管栅源电容－饱和区 ;需要记住的电容;0.35um主要参数;Mos管设计考虑;主要公式(掌握);主要公式(续);;;CMOS单级放大器;CMOS单级放大器;CMOS单级放大器;7.2 共源级7.2.1 采用电阻负载的共源级(CS);采用电阻负载的共源级(CS);简单CS放大器的设计参数;电阻负载共源级的ID(Vin)、gm（Vin）;电阻负载共源级的小信号等效电路;电阻负载CS放大器设计参数的制约关系;CMOS单级放大器;CMOS单级放大器;CMOS单级放大器;CMOS单级放大器;;CMOS单级放大器;7.2.2二极管连结MOS管的工作状态;二极管连接的MOS管的小信号等效电阻;二极管连接的MOS管小信号阻抗;MOS二极管连接负载的共源极;MOS二极管连接负载的共源极（ λ＝0 ）;MOS二极管连接负载的共源极(例1);MOS二极管连接负载的共源极;设电源电压 VDD=3V, |VTN|= |VTP| =0.7V 假定 Von1 = VGS1-VTH1= Vin-VTH1 ≥ 0.2V 若AV=-10, 则 |VGS2| ≥ | AV | ?Von1+| VTH2 | = 2.7V ∵ |VDS2 | = | VGS2 | ≥ 2.7V 故 Vo=VDD- | VDS2 | ≤ 3-2.7=0.3V, 联系到M1饱和要求: Vo= VDS1≥VGS1-VTH1 = Von1 =0.2V. 故Vo的变化范围仅有0.2V～0.3V，输出电压摆幅非常小。;求上例中Vinmax=? (例3);具有阶跃偏置电流的二极管连接器件;MOS二极管连接共源极的最大输出电压;MOS二极管连接共源极的最大输出电压;MOS二极管连接负载共源极的小结;MOS二极管连接负载的共源极(例4); 单级放大器 Ch. 3 # 68; 单级放大器 Ch. 3 # 69; 单级放大器 Ch. 3 # 70;问题: 静态工作点Vout如何计算?;电流源负载共源级的静态点问题(1);静态点不能“目测”带来的问题(1);静态点不能“目测” 与能“目测”的差异;工作在线性区的MOS负载的共源级;CS放大器小结