《IC工艺技术6-外延》.pptVIP

集成电路工艺技术讲座第六讲;外延技术讲座提要;一、外延工艺简述;2.外延的优点;CMOS电路的latch-up效应用重掺衬底加外延可以减小这效应;3.外延沉积的原理;4.外延工艺过程;5.HCL腐蚀的作用;6.外延掺杂;掺杂计算 ρTest/ρTarget = DNTarget/ DNTest 实际的修正 由于有自掺杂因此实际掺杂量还应减去自掺杂的量;7.外延参数测定;缺陷的显示;2)电阻率测试;Srp还可测浓度(或电阻率)与结深的关系，可看过渡区宽度，是一个很好的分析测试手段;3)厚度测试;二、外延的一些关键工艺;;外延图形漂移的测定;用滚槽法测shift;由于漂移.使光刻套准差.造成电学性能变差;案例分析7800上下片因温度不均匀造成shift不同,引起电学参数不同。;2.图形畸变Distortion;SHIFT;外延后图形严重畸变对于(111)晶片,取向对畸变影响很大;轻微畸变使图形边缘模糊，使光刻困难;硅源中氯原子的含量上对shift的影响;温度对shift的影响;生长速率对shift的影响;减少畸变和漂移的方法;2. 掺杂与自掺杂;外延过程自掺杂的停滞层解释;外延过程中气流和杂质的走向;具体案例： 重掺衬底使外延电阻率降低;不同的加热方式可以产生不同的自掺杂结果;外延的过渡区;以P/P+为例减少自掺杂的试验;减少自掺杂的方法;3.外延表面缺陷;1)层错;表面颗粒:与外延系统及衬底的清洁度有关，下图是用表面沾污仪测试结果;表面呈乳凸状小丘：产生原因与衬底取向有关，与(111)取向偏离小于1o;(111)硅片的滑移线;滑移线;外延后埋层图形变粗糙与外延的气氛及埋尽的表面状变有关;外延系统有轻微漏气外延后有轻微白雾下图是经铬酸腐蚀后看到的层错和雾;类似三角形缺陷;4.减压外延;压力与过渡区的关系;压力对图形漂移的影响;压力与过渡区宽度;三.外延设备简介;不同外延炉的结构;当前常见几种外延炉优缺点比较;AMC7810;;;;;2.各类外延炉的优缺点;2)筒式中低频加热LPE2061S;;红外加热的筒式外延炉AMC MTC;各炉子性能比较;大直径硅片外延炉; AMC CENTRORA;ASM EPSION-2;各大直径硅片外延炉的生产能力;-g-2;单片外延炉的一些优点;外延工艺及设备的展望;补充;例如感应线圈下面有锈可能造成铁离子沾污铁;dsfdbsy384y982ythb3oibt4oy39y409705923y09y53b2lkboi2y58wy0ehtoibwoify98wy049ywh4b3oiut89u983yf9ivh98y98sv98hv98ys9f698y9v698yv98x98tb98fyd98gyd98h98ds98nt98d8genklgb4klebtlkb5k tkeirh893y89ey698vhkrne lkhgi8eyokbnkdhf98hodf hxvy78fd678t9fdu90gys98y9shihixyv78dfhvifndovhf9f8yv9onvkobkw kjfegiudsfdbsy384y982ythb3oibt4oy39y409705923y09y53b2lkboi2y58wy0ehtoibwoify98wy049ywh4b3oiut89u983yf9ivh98y98sv98hv98ys9f698y9v698yv98x98tb98fyd98gyd98h98ds98nt98d8genklgb4klebtlkb5k tkeirh893y89ey698vhkrne lkhgi8eyokbnkdhf98hodf hxvy78fd678t9fdu90gys98y9shihixyv78dfhvifndovhf9f8yv9onvkobkw kjfegiu dsfdbsy384y982ythb3oibt4oy39y409705923y09y53b2lkboi2y58wy0ehtoibwoify98wy049ywh4b3oiut89u983yf9ivh98y98sv98hv98ys9f698y9v698yv98x98tb98fyd98gyd98h98ds98nt98d8gen;56384866666gjfdghmghm56384866666gjfdghmghm56384866666gjfdghmghm56384866666gjfdghmghm56384866666gjfdghmghm56384866666gjfdghmghm56384866666gjfdghmghm56384866666gjfdghmghm56384866666gjfdghmghm56384866666gjfdghmghm56384866