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3．双向晶闸管的参数及型号 二．逆导晶闸管 (a) 等效电路 （b）图形符号 （c）伏安特性 图1-16 逆导晶闸管的等效电路、符号及伏安特性 三．快速晶闸管 快速晶闸管的外形、符号和伏安特性与普通晶闸管相同。它包括常规的快速晶闸管和工作在更高频率的高频晶闸管。快速晶闸管的的管芯结构和制造工艺与普通晶闸管不同，因而快速晶闸管的开通和关断时间短。例如，普通晶闸管的关断时间为几百微秒，而快速晶闸管为几十微秒，而高频晶闸管则为十微秒左右。而且快速晶闸管的du／dt和di／dt的耐量也有了明显的提高。 快速晶闸管的不足是其电压和电流都不易做高，并且由于工作频率较高，故在选择此类器件时不能忽略其开关损耗。 四．光控晶闸管 光控晶闸管又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号来代替电信号对器件进行触发，其图形符号如图1-17所示。 图1-17光控晶闸管图形符号 1.5 全控型电力电子器件 一、双极型器件 双极型器件是指器件内部参与导电的是电子和空穴两种载流子的半导体器件。常见的双极型器件有GTR、GTO和SITH。 1．电力晶体管GTR 电力晶体管也称巨型晶体管（Giant Transistor, 简称GTR），是一种双极结型晶体管。它具有大功率、高反压，开关时间短、饱和压降低和安全工作区宽等优点。 2．可关断晶闸管GTO 可关断晶闸管也称门极可关断晶闸管（Gate Turn Off Thyristor ,简称GTO），前已述及的普通晶闸管，其特点是靠门极正信号触发之后，撤掉触发信号亦能维持通态。欲使之关断，必须使正向电流低于维持电流IH，一般要施加以反向电压强迫其关断。 图1-22 GTO的图形符号 可关断晶闸管的主要特点为，既可用门极正向触发信号使其触发导通，又可向门极加负向触发信号使晶闸管关断。 可关断晶闸管与普通晶闸管一样也是PNPN四层三端器件，其结构示意图及等效电路和普通晶闸管相同。 当要关断GTO时，给门极加上负电压，晶体管P1N1P2的集电极电流IC1被抽出来，形成门极负电流-IG。由于IC1的抽走使N1P2N2晶体管的基极电流减小，进而使其集电极电流IC2减小，于是引起IC1的进一步下降，形成一个正反馈过程，最后导致GTO阳极电流的关断。图1-23是GTO的关断过程等效原理图。 图1-23 GTO的关断过程等效电路 3.静电感应晶闸管SITH 静电感应晶闸管（Static Induction Thyristor,简称SITH）是由日本人于1972年研制成功的一种新型双极型电力半导体器件。 （a）内部结构 （b）图形符号 图1-25 SITH的内部结构和图形符号 二．单极型器件 单极型器件是指器件内只有一种载流子即多数载流子参与导电的半导体器件。常见的全控单极型器件有功率场效应晶体管和静电感应晶体管两种器件。 1．功率场效应晶体管（Power MOSFET） 功率场效应晶体管，也称电力场效应晶体管。同小功率场效应晶体管一样，也分结型和绝缘栅型两种类型，只不过通常的功率场效应晶体管主要指绝缘栅型的MOS型。而把结型功率场效应晶体管称作静电感应晶体管。 功率场效应晶体管是一种单极型的电压控制器件，因此它有驱动电路简单、驱动功率小、无二次击穿问题、安全工作区宽以及开关速度快、工作频率高等显著特点。在开关电源、小功率变频调速等电力电子设备中具有其他电力电子器件所不能取代的地位。 第一章 电力电子器件 电力电子技术 第一章 电力电子器件 第一节 电力电子器件概述 第二节 电力二极管 第三节 晶闸管的结构与工作原理 第四节 晶闸管的派生器件 第五节 全控型电力电子器件 第六节 半导体功率器件的选择 本章小结 LOGO 1.1 电力电子器件概述 电力电子器件是电力电子技术及其应用系统的基础。 电力电子电路中能实现电能的变换和控制的半导体电子器件称为电力电子器件（Power Electronic Device ）。广义上电力电子器件可分为电真空器件和半导体器件两类，本书涉及的器件都是半导体电力电子器件 。 在对电能的变换和控制过程中，电力电子器件可以抽象成理想开关模型，它工作在“通态”和“断态”两种情况。 电力电子器件按器件的开关控制特性可以分为以下3类 ： 不可控器件，如电力二极管（Power Diode ）； 半控型器件，如普通晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件； 全控型器件，如门极可关断晶闸管 （Gate-Turn-Off Thyristor）、功率场效应管（Power-MOSFET ）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated-Gat