Triquint-GaN翻译资料.docVIP

GaN市场测试 Ttiquint公司的创新 Triquint公司的半导体因它的国防产品和圆晶代工服务而自豪。我们将继续发展富有创新性的产品解决方案和享有盛誉的代工服务，用于支持射频、微波和毫米波的全球国防产品和航空航天承包商。我们的成功是基于信任、价值、竞争支持以及对使用氮化镓（GaN），砷化镓（GaAs）技术的高功率、高频率使用的有源器件的深入了解。 ※GaN的优势 ※GaN的性能Ultra High Frequency）到W-波段T赫兹的应用； ? 与赝高电子迁移率晶体管T1G6000528-Q3 2500-6000 MHz 固定装置的射频评价结果 测试条件：Vds=28V, Idq= 50mA ※GaN代工服务 作为美国国防部公认的可靠的代工服务商，Triquint公司提供多种GaN定制的特定用途集成电路解决方案。我们的代工服务部门所提供的支持，补充了TriQuint的高频标准的产品组合。TriQuint的代工服务以满足客户要求为中心，我们一流的经验丰富的代工团队，通过每个开发阶段来引导客户，并得到必威体育精装版的行业领先的设计配套、先进设计系统（Advanced Design system）、AWR（AWR是一家美国国家航空仪器公司，该公司的高频设计软件主要用于射频、微波和电磁电路设计）和美国国防研究公司（Defense Research Corporation）支持。关于GaN和GaAs代工服务信息，请浏览我们公司的网址：/foundry。 GaN工艺规范 ? 技术要求：掺杂SiC的GaN粒径在0.25μm； ? 功率处理：Vd最高40V； ? 工作频率：DC至18 GHz； ? 功率附加效率（PAEpower-add efficiency） GHz时大于60%； ? 功率密度：在10 GHz时大于5.5W/mm； ? 可靠性：在200C下1×106小时 (3-temp DC MTTF w/failure defined as 10% degradation in Idmax) T1G6000528-Q3 500-6000 MHz 固定装置的射频评价结果 测试条件：Vds=28V, Idq= 50mA ※GaN标准产品组合※GaN晶体管 元件 频率 (GHz) PSat (dBm) LS Gain (dB) PAE %) Bias (V/mA) 封装 ECCN 型号 1.25mmHEMT DC-18 37.4 10.4 52 28/125 管芯 EAR99 TGF2013-01 2.5mmHEMT DC-18 40.2 9.9 50 28/250 管芯 EAR99 TGF2013-02 5mmHEMT DC-18 43 9.4 49 28/500 管芯 3A001b.3b TGF2013-05 10mmHEMT DC-18 45.8 8.9 47 28/1000 管芯 3A001b.3b TGF2013-10 20mmHEMT DC-18 48.6 8.4 46 28/2000 管芯 3A001b.3b TGF2013-20 9WHEMT DC-6 39.5 12.5 50 28/50 引脚扁平封装 EAR99 TIG6000528-Q3 18WHEMT DC-6 42.5 12 50 28/50 引脚扁平封装 EAR99 TIG6001528-Q3 55WmmHEMT DC-3.5 47.2 12 50 28/200 引脚扁平封装 EAR99 TIG6005528-FS ※GaN放大器 元件 频率 (GHz) PSat (dBm) LS Gain (dB) PAE %) Bias (V/mA) 封装 ECCN 型号 ※GaN开关 元件 频率 （GHz) IL (dB） ISO （dB） P1dB (dBm） 电压 封装 ECCN 型号 高功率SPDT开关 DC-6 0.8 -40 45 0/-40 管芯 EAR99 TGS2351 高功率SPDT开关 DC-6 0.8 -40 45 0/-40 5x5 QFN EAR99 TGS2351-SM 高功率SPDT开关 DC-12 1 -35 43 0/-40 管芯 EAR99 TGS2352 高功率SPDT开关 DC-18 0.5 -25 40 0/-40 管芯 EAR99 TGS2353 ※集成组件和封装服务 Triquint公司提供很多封装、集成和晶片级服务，使最后的组装更容易和高效。Triquint公司的集成组装能力是行业内领先的，拥有最先进的设施。这种技术专长扩大了Triquint公司的综合解决方案的范围。Triquint公司的封装产品受益于创新和依赖于可以控制的生产过程来确保MMIC的解决方案的可靠性。集成或者是通过芯片设计或者是多芯片组件来得到更高的性