- 1、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
计算机组成原理和汇编语言 第6章 存储系统
计算机组成原理与汇编语言程序设计 授课教师:江兰帆 E-MAIL:jiang_lanfan@126.com 第6章 存储系统 本章主要内容: 存储器的分类、技术指标 各类存储原理 主存储器的组织 高速缓冲存储器 外部存储器 物理存储系统的组织 虚拟存储系统的组织 6.1 概述 基本概念 存储器:是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。 存储元:存储器的最小组成单位,用以存储1位二进制代码。 存储单元:是CPU访问存储器基本单位,由若干个具有相同操作属性的存储元组成。 基本概念 单元地址:在存储器中用以表识存储单元的唯一编号,CPU通过该编号访问相应的存储单元。 字存储单元:存放一个字的存储单元,相应的单元地址叫字地址。 字节存储单元:存放一个字节的存储单元,相应的单元地址叫字节地址 基本概念 按字寻址计算机:可编址的最小单位是字存储单元的计算机。 按字节寻址计算机:可编址的最小单位是字节的计算机。 存储体:存储单元的集合,是存放二进制信息的地方 存储器各个概念之间的关系 6.1.1 存储器的分类 1. 按存储器在系统中的作用分类 (1)内部存储器(内存、主存) 主要存放CPU当前使用的程序和数据。 特点:速度快、容量有限 (2)外部存储器(辅存、外存) 存放大量的后备程序和数据。 特点:速度较慢、容量大 6.1.1 存储器的分类 (3)高速缓冲存储器 存放CPU在当前一小段时间内多次使用的程序和数据。 特点:速度很快、容量小 6.1.1 存储器的分类 2. 按存取方式分类 (1)随机存取存储器(RAM) 随机存取:可按地址对任一存储单元进行读写,访问时间与单元地址无关。 (2)只读存储器(ROM) 随机存取存储器的特例,只能读不能写。 6.1.1 存储器的分类 (3)顺序存取存储器(SAM) 访问时,读/写部件按顺序查找目标地址,访问时间与数据位置有关。(磁带) (4)直接存取存储器(DAM) 访问时,读/写部件先直接指向一个小区域,再在该区域内顺序查找。访问时间与数据位置有关。(磁盘) 6.1.1 存储器的分类 (1)磁芯存储器 (已淘汰) 利用不同的剩磁状态存储信息,容量小、速度慢、体积大、可靠性低。 (2)半导体存储器 MOS型:集成度高、功耗低,作主存 双极型:集成度低、功耗大,速度快,作Cache 6.1.1 存储器的分类 (3)磁表面存储器 利用磁层上不同方向的磁化区域表示信息 容量大,非破坏性读出,速度慢 长期保存信息,作外存 (4)光盘存储器 激光控制,利用光斑的有无表示信息 容量很大,非破坏性读出,速度慢。 长期保存信息,作外存 6.1.1 存储器的分类 4. 按信息的可保存性分类 易失性(挥发性)存储器:断电后信息消失 永久性存储器:断电后信息仍然保存 6.1.2 主存的主要技术指标 存储容量 存取时间(存储器访问时间) 存储周期 存储器带宽 可靠性 功耗 集成度 6.1.2 主存的主要技术指标 6.1.2 主存的主要技术指标 可靠性:主存储器的可靠性通常用平均无故障时间 MTBF(Mean Time Between Failures)来表征。MTBF指连续两次故障之间的平均时间间隔。显然,MTBF越长,意味着主存的可靠性越高。 6.1.2 主存的主要技术指标 功耗:作为目前的主存储器的主体的半导体存储器的功耗包括“维持功耗”和“操作功耗”,应在保证速度的前提下尽可能地减小功耗,特别是要减小“维持功耗”。 集成度:所谓集成度是指在一片数平方毫米的芯片上能集成多少个存储单元,每个存储单元存储一个二进制位,所以集成度常表示为位/片。 6.2 存储原理 6.2.1 半导体存储器的存储原理 SRAM存储器 1. 基本存储元 基本存储元是组成存储器的基础和核心,它用来存储一位二进制信息0或1。 SRAM存储器 SRAM存储器 定义: 存 “0”:T1导通,T2截止; 存 “1”:T1截止,T2导通。 SRAM存储器 工作: Z加高电平, T5、T6导通,选中该单元。 写入:W低、W高电平,写0 W高、W低电平,写1 读出:根据 W、W上有无电流,读1/0。 SRAM存储器 保持: Z加低电平, T5、T6截止,位线与双稳态电路分离,保持原有状态不变。 静态单元是非破坏性读出,读后不需重写。 六管基本存储单元电路 SRAM存储器 一个基本存储电路只能存储一个二进制位。 将基本的存储电路有规则地组织起来,就是存储体。 存储体又有不同的组织形式: 将各个字的同一位组织在一个芯片中; 将各个字的4位组织在一个芯片中, 如:2114 1K×4; 将各个字的8位组织在一个芯片中, 如:6116 2K×8; SR
您可能关注的文档
最近下载
- 第一单元《做学习的主人》大单元整体教学评一体化教学设计 2025道德与法治三年级上册.docx
- 入党志愿书空白表格_1831893502精品.doc VIP
- 三一汽车起重机STC1000C7-1_产品手册用户使用说明书技术参数图解图示电子版.pdf VIP
- 2025-2026学年高二物理上学期第一次月考卷(真题含答案解析).docx VIP
- 高中语文专题一沁园春长沙学案苏教版.doc VIP
- 《中国老年骨质疏松症诊疗指南(2024)》解读-.pptx VIP
- 门式钢架房屋技术规程2002.pdf
- 《2校园的树木我修剪》(教案)人民版劳动技术七年级上册.docx
- 报价单模板模板.docx VIP
- 意外事故调查表(标准范本).pdf VIP
文档评论(0)