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画出原理图，并写出逻辑表达式 求图1中d的最小值。已知：N管的W/L=3，P管的L/W=4，部分设计规则为: 有源区最小宽度为2?，多晶硅最小宽度为2?，接触孔最小面积为2?×2?，P阱边缘与P阱内N+区最小距离为2?，多晶硅栅与接触孔最小距离为2?，多晶硅最小间距为2?，栅边缘与P+区最小距离为2?，P阱边缘与N型衬底内P+区最小距离为6?，最小P阱宽度为4?，有源区对接触孔的最小覆盖为1?。 d=(2+6+2+6+1+2+2+8+2+2+1)?=34? P管 N管 在图2中，利用NMOS管实现A与B的同或函数。 用三输入LUT单元实现逻辑式： 图3是一段多晶硅导线，已知面电容值为0.045fF/?m2，边电容值为0.035fF/?m2 ，方块电阻为25?/方块，求A到B的集总电阻和集总电容。 图3 面电容： 边电容： 集总电容为： 集总电阻为： 在10~20ns期间： 在50~60ns期间： 在30~40ns期间 在图4中，结点电容C1=6fF, C2=8fF,负载电容CL=10fF，VDD=1.8V，输入信号如波形，求输出点在10~20ns、30~40ns、50~60ns阶段的实际输出电压值并绘出波形。 图4 在图5中，多级反相器中管子的栅长和栅宽均为2?m，Cox=1fF/?m2，N管和P管工作在饱和区的等效电阻分别为RN=0.5K?，RP=1.5K?，CL=10fF，求A到B的延迟时间。
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