数字电子技术-第8章 半导体存储器精品.pptVIP

RAM的字位扩展 将1024×4的RAM扩展为2048×8 RAM * Volatile/’voletail/ nonvolatile/’non’voletail/挥发存储器和非挥发存储器（Non-Volatile Memory--NVM）或者称易失性存储器。2008.12.1。SRAM访问速度在10ns以下，DDR2 SDRAM的访问速度在20ns以下。SRAM功耗也比较低。 1. ROM构成的全加器 ROM的应用举例 在数字系统中ROM的应用十分广泛，如组合逻辑、波形变换、字符产生以及计算机的数据和程序存储等。 输入变量 A —— 加数 B —— 加数 C0 —— 低位进位数 输出变量 S —— 本位和 C —— 向高位进位数 A B C0 十进制 最小项 被选中字线 最小项编号 位线 S C 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 0 0 1 0 1 1 1 0 1 1 1 0 1 2 3 4 5 6 7 A B C0 A B C0 A B A C0 A C0 B C0 B C0 A B B C0 A C0 B A W0=1 W1=1 W2=1 W3=1 W4=1 W5=1 W6=1 W7=1 m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7 0 0 1 0 1 0 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 全加器逻辑状态及三变量最小项编码 根据表可得： WO m0 W1 m1 W2 m2 W3 m3 W4 m4 W5 m5 W6 m6 W7 m7 S C A B C 最 小 项 译 码 器 图22.1.6 ROM构成的全加器 WO m0 W1 m1 W2 m2 W3 m3 W4 m4 W5 m5 W6 m6 W7 m7 S C A B C 最 小 项 译 码 器 0 1 1 选中 0 1 如： 1.作函数运算表电路 【例7.2—1】试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的正整数。 ROM的应用 【解】（1）分析要求、设定变量 自变量x的取值范围为0～15的正整数，对应的4位二进制正整数，用B=B3B2B1B0表示。根据y=x2的运算关系，可求出y的最大值是152＝225，可以用8位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。 （2）列真值表—函数运算表 Y7=m12+m13+m14+m15 （3）写标准与或表达式 Y4=m4+m5+m7+m9+m11+m12 Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15 Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15 Y3=m3+m5+m11+m13 Y1=0 Y2=m2+m6+m10+m14 (4)画ROM存储矩阵结点连接图 为做图方便，我们将ROM矩阵中的二极管用节点表示。 Y0= m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m15 【解】 （1）写出各函数的标准与或表达式： 按A、B、C、D顺序排列变量，将Y1、Y2、Y4扩展成为四变量逻辑函数。 2.实现任意组合逻辑函数 【例7.2—2】试用ROM实现下列函数： （2）选用16×4位ROM，画存储矩阵连线图： 8.3 随机存取存储器（RAM） 　　随机存取存储器又叫随机读/写存储器，简称RAM，指的是可以从任意选定的单元读出数据，或将数据写入任意选定的存储单元。 　　优点：读写方便，使用灵活。 　　缺点：掉电丢失信息。?　 　　分类： SRAM （静态随机存取存储器） 　　　 DRAM （动态随机存取存储器） RAM 与 ROM 的比较 相同处 ★ 都含有地址译码器和存储矩阵 ★ 寻址原理相同 相异处 ★ ROM 的存储矩阵是或阵列，是组合逻辑电路。 ROM 工作时只能读出不能写入。掉电后数据 不会丢失。 ★ RAM 的存储矩阵由触发器或动态存储单元构 成， 是时序逻辑电路。RAM 工作时能读出， 也能写入。读或写由读 / 写控制电路进行控制。 RAM 掉电后数据将丢失。 存储矩阵 地址译码器 读写控制器 输入/输出控制 片选控制 8.3 随机存取存储器（RAM） ８.３.１ RAM的基本结构 1. 存储矩阵：由存储单元构成，一个存储单元存储一位二进制数码“1