单片机原理及其应用陈立周陈宇4节.pptVIP

3. 读出一个字节数据子程序 出口条件:读出的内容,置于累加器A。 RD1： MOV R4,#08H ；数据位数 RD10: NOP NOP SETB P1.0 ；时钟置高读数据 NOP NOP CLR P1.0 ；时钟置低 MOV C,P1.2 ；数据读入C RLC A DJNZ R4,RD10 ；未完继续 RET 4．写数据子程序（16位结构） 入口条件：设待写数据位于R2（高8位）、R3（低8位），写入AT93C46的单元地址置于B。 WRITE：LCALL STABY ；发送起始位1 MOV A,#30H ；取写允许操作码 LCALL WR1 LCALL STABY ；发送起始位1 MOV A,B ；取写入地址 ORL A,#40H ；地址与写入操作码 LCALL WR1 ；写入 MOV A,R2 ；取写入的高8位 LCALL WR1 MOV A,R3 ；取写入的低8位 返回本章首页 LCALL WR1 SETB P1.3 ；置片选无效 NOP NOP CLR P1.3 ；置片选有效 WAIT: JNB P1.2,WAIT ；写入完成否 LCALL STABY ；写禁止 SETB A,#00H LCALL WR1 SETB P1.3 ；置片选无效 RET 续前 5．读数据子程序（16位结构） 出口条件：B存要读出的单元地址，R2存读出数据的高8位、R3存读出数据的低8位。 READ: LCALL STABY ；发送起始位1 MOV A,B ；取地址 ORL A,#80H ；地址与读出合并 LCALL WR1 ；发读操作码及地址 NOP NOP LCALL RD1 ；读入高8位 MOV R2,A ；存R2 LCALL RD1 ；读入低8位 MOV R3,A ；存R3 SETB P1.3 ；置片选无效 RET 返回本章首页 在线教务辅导网： 更多课程配套课件资源请访问在线教务辅导网 馋死 PPT研究院 POWERPOINT ACADEMY * 接收方每收到发送器送来的一个字节后，必须向SDA线返回一个应答位ACK即输出“0”,表示接收方已经收到所发数据,发送方才能发送下一个数据，否则数据线为“1”表示非应答，即NACK，这时发送方就要重发。 * 应答位检查子程序中，令单片机产生一个额外的第九个时钟脉冲，在脉冲高电平期间读ACK应答位，并将它的状态存放在F0标志中，以供检查。若接收方正常发出应答位ACK，则F0为0，若无应答F0为1。 * * * * 第四章 半导体存储器 第一节 存储器的分类 第二节 随机存取存储器 第三节 只读存储器 第四节 存储器的并行扩展及连接方法 第五节 串行存储器的扩展方法 本章要点 简单介绍单片机系统中使用的存储器结构性能及其用途。 存储器的并行扩展，扩展时的地址确定，以及与单片机的连接方法。 两线制与三线制的串行存储器， 和 SPI总线的编程。 第一节 存储器的分类 半导体存储器 静态(SRAM) 动态(DRAM) 固定掩膜型ROM、 可编程的PROM 紫外线可擦除可 编程的EPROM 电擦除可编程的EEPROM 闪速型存储器 随机存取存储器 双极型 MOS型 只读存储器 返回本章首页 第二节 随机存取存储器 一、静态RAM结构 存储器由若干个能够存储0和1两种数码的基本存储电路所组成，静态RAM的基本存储电路是双稳态触发器。以静态RAM为例，每个触发器包含6个NMOS管，它具有两个稳态，分别代表0和1两种状态，其结构如图 ： 二、动态RAM结构 动态RAM通常采用MOS管栅极与源极间的极间电容存储信息，由于电容上的电荷会逐渐泄漏，因此要不断地对被泄漏的电荷进行补充，这种补充称为刷新。所以动态RAM片内要附加刷新的逻辑电路。由于动态RAM使用的MOS管少，功耗低，集成度高，可制成大容量的存储器芯片。 三、RAM断电保护 RAM在断电之后，所存数据将全部丢失，为使断电后，片内数据能够得到保存，可在电源端通过二极管分别接到电源电压和后备电池电压，电池电压可以取3.6V。在正常时情况下，芯片由电源供电；电源断电或小于3.6V ，改由电池供电，维持其电压，使所存数据不至丟失。 四、单片机