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十二. 第二层金属（金属2）互连的形成* 金属2互连的制作1．? 淀积、刻蚀金属22．? 填充第三层层间介质间隙3．? 淀积、平坦化ILD-3氧化物4. 刻蚀通孔3，淀积钛/氮化钛，淀积钨，平坦化 十三. 制作第三层金属（金属3）直到 制作压点和合金 CMOS 制作中的一般掺杂工艺 Table 17.2 作业 1 在互联网上收集整理出一份IC发展历史的报告，要求概括主要器件的出现及相关工艺，不少于1500字。（占平时成绩20%） 2 掌握双阱CMOS器件结构，总结制备双CMOS器件所需的工艺技术及步骤。 （占平时成绩10%） * * * * * Buried Layer - A path of low resistance for a current moving in a device. Many of these dopants are antimony and arsenic. 埋层 - 为了电路电流流动而形成的低电阻路径，搀杂剂是锑和砷。 * * * * * * * * * * * 2．n+源漏注入 砷注入 * p+ 源/漏注入 1．第八层掩膜(光刻8) “p+源/漏注入” 2．p+源/漏注入 硼注入 3．退火 侧墙的作用？ 保护沟道，在注入过程中阻止掺杂原子的进入 七．接触(孔)的形成 * 钛金属接触的制作 1．钛的淀积 钛淀积 2．退火 钛硅化物接触形成 3．钛刻蚀 接触形成工艺的目的：在所有硅的有源区形成金属接触。金属接触可以使硅和随后淀积的导电材料更加紧密的结合起来。 钛是做金属接触的理想材料。钛的硅化物在有源区（源，漏，栅）保留下来。但是钛不与SiO2反应，从而容易的除去，而不需要额外的掩膜。 八．局部互连(LI：local interconnect)工艺 * LI氧化硅介质的形成 1．氮化硅化学气相淀积 氮化硅CVD (将硅的有源区保护起来，使之与随后的掺杂淀积层隔绝) 2．掺杂氧化物的化学气相淀积 二氧化硅要用磷或硼掺杂，可以提高玻璃的介电特性。另外退火时候玻璃能够流动，得到平坦的表面 3. 氧化层抛光（CMP） 4．第九层掩膜(光刻9) “局部互连” 局部互连刻蚀 * LI金属的制作 1.金属钛淀积(PVD工艺) 钛衬垫于局部互联沟道的底部和侧壁上，充当钨和二氧化硅的粘合剂 2. 氮化钛(TiN)淀积 TiN淀积于钛金属层的表面，充当金属钨的阻挡层 3. 钨淀积(CVD工艺) 4. 磨抛钨(CMP工艺) 九．通孔1和钨塞1的形成 * 通孔1的制作 1．第一层层间介质氧化物淀积（CVD） 2．氧化物磨抛（CMP） 3．第十层 掩膜(光刻10) “ILD-1” 第一层层间介质刻蚀 * 钨塞1的制作 1.???金属淀积钛阻挡层（PVD） 钨充当将钨限制在通孔中的粘合剂 2.?? 淀积氮化钛（CVD） 氮化钛充当钨的扩散阻挡层 3．淀积钨（CVD） 4. 磨抛钨（CMP） 十．第一层金属（金属1）互连的形成 * 金属1互连的制作 1．金属钛阻挡层淀积（PVD） 钛充当钨塞和下层金属铝之间的良好键合 2．淀积铝铜合金（PVD） 铝不稳定，铝中加入1％的铜，提高了铝的稳定性 3．淀积氮化钛（PVD） 氮化钛充当下一次光刻中的抗反射层 4．第十一层掩膜(光刻11) “金属1互连” 金属刻蚀 十一. 通孔2和钨塞2的形成 * 通孔2的制作 1. ILD-2间隙填充 2．ILD-2氧化物淀积 3．ILD-2氧化物平坦化（CMP） 4．第十二层掩膜(光刻12) ILD-2刻蚀 * 钨塞2的制作 1．金属淀积钛阻挡层（PVD） 2．淀积氮化钛（CVD） 3．淀积钨（CVD） 4．磨抛钨（CMP） §2 CMOS集成电路工艺 CMOS集成电路是目前应用最为广泛的一种集成电路，约占集成电路总数的95%以上。 CMOS工艺技术是当代VLSI工艺的主流工艺技术，它是在PMOS与NMOS工艺基础上发展起来的。其特点是将NMOS器件与PMOS器件同时制作在同一硅衬底上。 CMOS工艺技术一般可分为三类，即 P阱CMOS工艺 N阱CMOS工艺 双阱CMOS工艺 双阱CMOS工艺 通