考研——哈工大微电子期末考试题.docVIP

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2018-03-09 发布于河南
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考研——哈工大微电子期末考试题

哈工大2001/2002秋季学期固态电子论试题班号姓名题号一二三四五六七八九十总分附加题分数解释下列名词或概念：（20） 1．施主和受主杂质 2．状态密度 3．热载流子 4．光电导增益 5．少子寿命 6．简并半导体 7．格波 8．准费米能级 9．深能级杂质 10．表面复合速度简述半导体中载流子的主要散射机构（20分）画出p型半导体MOS结构可能测出的高频C-V特性曲线，如果SiO2中存在Na+离子，如何测出其面密度？（20分）简述半导体的光生伏特效应，利用理想光电池电流-电压方程确定开路电压VOC和短路电流ISC（20分）五、如图所示，有一均匀掺杂的n型半导体，在稳定光照下，体内均匀地产生非平衡载流子，产生率为gP，寿命为τP,仅在一面上存在表面复合，表面复合速度为SP，载流子的扩散长度为LP，试确定非平衡载流子分布。（20分）试题：固态电子论班号：姓名： ================================================================================== ================================================================================= 第 6 页共 6页 ================================================================================= 第 1 页共 6页