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Wet Etch工艺—原理 工艺目的 有选择性的去除膜层部分区域的物质以形成需要的Pattern; 不同膜层用的Etchant Material Etchant 反应机理 Gate H3P04+CH3COOH+HNO3+H2O 4AL +2HNO3 → 2AL2O3 + N2 + H2 H3PO4 + AL2O3 → AL(PO4) + H2O - CH3COOH 缓冲，调节浓度 - H2O减少 ETCHANT粘性 S/D H3P04+CH3COOH+HNO3+H2O 4Mo +2HNO3 → 2Mo2O3 + N2 + H2 H3PO4 + Mo2O3 → Mo(PO4) + H2O - CH3COOH 缓冲，调节浓度 - H2O减少 ETCHANT粘性 ITO HCL+HNO3+H2O In2O3 + 6HCL → 2In3+ + 6CL- + 3H2O 工艺原理 Etchant(刻蚀液) 与金属层发生反应,将区域性的金属去除; Wet Etch工艺—Etch Unit 运行模式 分2中模式:Spray Mode和 Dip Mode Spray Mode 玻璃搬送方向 Glass Nozzle Pipe Spray Mode: 玻璃经过Etch Unit时,上部Nozzle喷洒药液,同时 玻璃和Nozzle也Oscillation (摆动 ), 使玻璃在刻蚀的时候能够刻蚀得比较均匀; Dip Mode: 玻璃经过Etch Unit时,下部Nozzle喷洒药液,以使玻璃浸泡在药液中,同时玻璃也Oscillation (摆动 ),可以得到一个比较好的坡度角; ◆ Dip Bath In/Out 端的搬送Roller 之间设置Dip Nozzle ◆ Dip Nozzle 突出方向: 往下部喷射(可以变更方向) ◆ Dip Nozzle Pitch : 将两边做得稠密使Glass 的上翘最小化 Wet Etch工艺— Etch Unit Dip Mode Wet Strip工艺—原理 工艺目的 去除Etch后的光刻胶以保证后面的DEP工艺顺利进行; Stripper成分 工艺原理 Stripper(剥离液) 与PR(光刻胶) 发生反应,将PR全部去除; ① 醚类（Dietylene Glycol Monoethye Ether） CH3CH2O(CH2)2O(CH2)2OH[C6H1403],PR中的对Resin的选择度大; ② 胺类（MEA） 打破PR与Resin的Cross-Link结合 ③ 酮类NMP (Normal Methyl 2-Pyrrolidone : C5H9NO) Solubility将分掉的Acid溶解; ④ 表面活化剂(Surfactant) 促进PR在Chemical中溶解. 光刻机使用了透镜成像的原理 目前常用的比例为1：1 曝光原理 清洗目的及原理 目的: 除去基板表面影响成膜的具有物理化学特性、电学特性的异物及基板表面附着的灰尘、油份、自然氧化物，露出干净的膜及洁净的质地，此外除去成膜后的表面灰尘、异物。 原理: 成膜前清洗依据薄膜的生长方式及目的而不同，对表面生长薄膜的构造、物理性质都有很大的影响。LCD工艺中清洗包括成膜前后处理，一般除去基板表面吸附的灰尘及污物使用刷洗、超声等物理方法及使用化学表面活性剂法，除去氧化物使用酸法腐蚀。 清洗种类 Docking Cleaner 同种膜层不同速度沉积的情况下，两次膜层沉积之间进行的清洗，比如说绝缘层中有两层SiNx膜层，一层高速沉积的，一层低速沉积的，在两层之间进行清洗，防止高速沉积产生的particle污染膜层表面。 Docking cleaner设备是和PECVD设备连接在一起的 Pre Deposition Cleaner 在上层膜层刻蚀以后，进行下一层膜层的成膜之前，所进行的清洗。 Initial Cleaner 玻璃基板最初进入生产线还没有成膜之前所进行的清洗。 * * * Slit coater MHU MHU LPD Process Flow Entrance conveyer → MHU → Slit coater →MHU → Exit conveyer Coater (no spin ) 作用：在玻璃基板上涂上光刻胶，光刻胶是见光后性质就发生改变的物质，曝光后再显影便形成与MASK一样的图形（正性光刻胶） 入口 Conveyor Module Indexer前面的Robot在传送玻璃基板的时候是以水平方式进行，Indexer后面的清洗需要玻璃基板变换成倾斜状态，此处就是要进行姿势变换。 Guide Roller 待机Buffer Lift Pin