蓝光电激发光薄膜之结晶性及界面特质对发光行为之影响.PDF

政院國 家科 學委員會補助專題研究計畫 成果 報 告 □期中 進度報告 藍 光電激發 光薄膜之結晶 性及界面 特質 對發 光 為之影響 (2/2) 畫類別： 個別型計畫 □整合型計畫 畫編號： NSC94-2216-E-006-022 執行期間： 2005 年08月 01日至 2006 年07月 31日 畫 主持人：陳貞夙 畫 參與人員： 林志謀陳威宇賴蓓盈 陳君瑋 成果報告類型(依經費 核定清單規 定繳交) ：□精簡報告 完整報告 本成果報告包括以下應繳 交之附件： □赴國外出差或研習 心得報告 一份 □赴大陸地區 出差或研習 心得報告 一份 出席國際 學術會議 心得報告及發 表之論 文各一份 □國際合作研究 畫國外研究報告書 一份 理 方式：除產 學合作研究計畫 、提升產業技術及人 才培育研究計畫 、 列管 畫及下列情形者外 ，得 立即公開查詢 □涉及專利或 其他智慧財 產權，□一年□二年後可 公開查詢 執行單位 ：國立成功大學 材料科學及工程學系 中 華 民 國 9 5 年 1 0 月 3 0 日 摘要 本研究的 主要目標在於製備藍光發 光薄膜，並瞭解其發 光行為與發光層本體間的關 聯性。在第一階段實驗中，以射頻濺鍍法製備 Zn SiO :Ti( 1mol%) 薄膜 ，並藉由後續 理， 2 4 以期能得 到最佳化之 Zn SiO 主體結構，並探討其發 光性質。本研究利用低掠角 X 光繞 2 4 射儀鑑 定其結晶 結構，化學鍵結的部份則是 以X 光光電子能譜儀 (XPS)進行鑑 定，顯微 結構則是利用 穿透式電子顯微鏡觀 察；光致發 光光譜則是 以Hitachi F4500 fluorometer 進 行鑑 定，另外也 以Hitachi U-2001 Spectrophotometer 進行 穿透率的量測 。研究結果發現 ， 初鍍膜在 800 oC退火後，會 先形成相 Zn SiO4 ，當退火溫度再提高 至900 oC或 1000 oC 2 時 則， 相 Zn SiO會 形成；然而，在基材中並未發現摻雜原子或 其形成的化合 物之訊號 。 2 4 另外在 XPS能譜圖中也觀察 到相同的 相轉變現象 ，且發現 Si-O-Si的 鍵結量在高溫退火 時會降 至極少 ，再次證明 相 Zn SiO 形成。在1000 oC退火時 ，不管在光 致發 光或是陰 2 4 極射線發 光等皆有良好的光性 表現 ，利用氙燈 2 15 nm激發 ，可以在 370 nm 左右得 到相 當強的發射光譜；在 10 kV電子束的