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（2）转移特性 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 1. 结构 2. V-I 特性曲线及大信号特性方程 在饱和区内 5.1.3 P沟道MOSFET P沟道增强型MOSFET P沟道耗尽型MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 考虑沟道调制效应后 5.1.5 MOSFET的主要参数 一. 直流参数 1. 开启电压VT 2. 夹断电压VP 3. 饱和漏极电流IDSS 4. 直流输入电阻RGS 二. 交流参数 1. 输出电阻rds 2. 低频互导gm 不考虑沟道调制效应（λ＝0）时，rds→∞ 考虑沟道调制效应（λ≠0）时， 三. 极限参数 1. 最大漏极电流IDM 2. 最大耗散功率PDM 管子正常工作时漏极电流允许的上限值 3. 最大漏源电压V(BR)DS 发生雪崩击穿，iD开始上升时的vDS值 4. 最大栅源电压V(BR)GS 栅源间反向电流开始急剧增加时vGS值 5.2 MOSFET放大电路 ? 直流偏置及静态工作点的计算 ? 小信号模型分析 5.2.1 MOSFET放大电路 5.2.1 MOSFET放大电路 1. 直流偏置及静态工作点的计算 (1) 简单的共源极放大电路 直流通路 若VGSQVT，假设场效应管工作于饱和区 若VDSQVGSQ-VT，假设正确 若VDSQVGSQ-VT，假设错误，场效应管工作于可变电阻区 若VGSQVT，场效应管工作于截止区，则IDQ=0 (2) 带源极电阻的NMOS共源极放大电路 直流通路 电路如图，VT=1V ，Kn＝500uA/V2。VDD=5V ，-VSS= -5V ，Rd＝10kΩ，R=0.5kΩ，IDQ=0.5mA。若流过Rg1、Rg2的电流是IDQ的1/10，确定Rg1、 Rg2的值 I 3. 小信号模型分析 λ＝0时的低频小信号模型 λ≠0时的低频小信号模型 高频小信号模型 * 5.3 结型场效应管 5.1 金属-氧化物-半导体场效应管 5.2 MOSFET放大电路 5.5 各种放大器件电路性能比较 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： 5.3 结型场效应管 ? 结构 ? 工作原理 ? 输出特性 ? 转移特性 ? 主要参数 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 ? JFET的小信号模型 ? 应用小信号模型法分析JFET放大电路 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 ② vDS对沟道的控制作用 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 当vGS=0时， vDS? ? iD ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? iD基本不变 ? ③ vGS和vDS同时作用时 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） 导电沟道更容易夹断， 当VP vGS0 时， 对于同样的vDS ， iD的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP 综上分析可知 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制。 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此iG?0，输入电阻很高。 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 VP 1. 输出特性 ① 截止区 vGSVP时，无导电沟道，iD=0 ②