高品质氧化矽提炼技术.pptVIP

計劃目標 參與同學 徐慧琳：可溶式介電層材料研發與分析 李亞蓮：可溶式半導體層及電極層材料研發與分析 楊偉昌：元件製作,量測,與分析 連絡同學：徐慧琳 電話: ext.3890, 0958260196 E-mail: u901715@oz.nthu.edu.tw 預定工作事項 二氧化矽液相沈積法製程設備之採購與安裝 (2005/02/28) 二氧化矽液相沈積法製程之測試 (2005/03/31) 二氧化矽液相沈積法製作OTFT (2005/09/30) 有機材料之製程設備之採購與安裝(2005/03/31) 新穎Soluble介電層、半導體層及電極層材料評估及開發 (2005/9/30) All soluble OTFT之試製 (2005/12/31) Organic Thin-Film-Transistor Flexible IC Flexible substrate Low temperature process (200C) Low-cost without sputtering, evaporation Soluble materials for roll-to-roll printing process This Work Soluble materials synthesis for OTFT POM (TiO2 ) Solution 遇到困難及需求 有機材料合成設備不足 (2005/05/20) 正向電子所尋求閒置chemical hood 特殊有機材料及Soxhlet extraction 設備取得與設置 (2005/05/15) 洽購中 無毒溶劑之評估 (2005/05/10) 持續尋求適用之無毒溶劑 著作權所有，非經工研院和國立清華大學同意，不得翻印或轉載 開發適用於有機電晶體之低溫、高品質氧化矽沈積技術 主持人： 國立清華大學 游萃蓉 (T R Yew) 清雲科技大學 魏拯華 (J H Wei) 工研院電子所 裴靜偉 (Z W Pei) Updated: 2005/05/27 研發可溶式介電層,半導體層,及電極層之材料與元件 高品質二氧化矽液相沉積 新穎介電層,半導體層,及電極層材料研發 材料特性分析 OTFT 元件製作 目標規格: 二氧化矽液相沉積 SiO2 film thickness: 1nm - 300nm Process temperature: 200C OTFT gate voltage (Vg) : -10V ~ 10V 完成新材料之評估及特性量測 新穎材料於OTFT元件之試製 NTHU/MSE T R Yew 5/27/’05 NTHU/MSE T R Yew 5/27/’05 NTHU/MSE 徐慧琳 5/27/’05 Liquid Phase Deposition of SiO2 (Add H3BO3 ) (Dielectric ) (Dielectric ) Electrode Ref Colin Reese, Mark Roberts, Mang-Mang Ling, and Shenan Bao, Materials Today, Sept, pp.20-27 (2004) 清雲科技大學 魏拯華 5/27/‘05 Organic Materials for Dielectric Layer NTHU/MSE 徐慧琳 5/27/’05 POM (TiO2 ) Dielectric Layer - Synthesis and Characterization NTHU/MSE 徐慧琳 5/27/’05 POM + Benzyl alcohol (post stirred) Post stirred and heated (105C) TiO2 added (105C) Use thiophene as the base backbone, also add some substitutable group to increase the solubility of thiophene 2. Dopant (enhance conductivity) From some records: (1) Polyaniline + Lewis acid * (2) Poly(β’-dodecyloxy(-α,α’-α’,α”-)terthienyl)(polyDOT3)+2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone** (3) Poly(pyrrole)