多晶硅清洗工艺2.pptVIP

KOH的动力设施要求 Pressure: 3bar Temperature: 20 ℃ Max Flow: 1.5 Nm3/h 碱洗槽： KOH溶液，主要去除制绒后形成的多孔硅 反应如下： Si+2KOH+H2O =K2SiO3+2H2 此反应相当激烈 红棕色的多孔硅 多孔硅的反射率是很低的，但如果不去除，对后道的扩散和丝网印刷不利，电池效率受严重影响。 酸洗工位（HF+HCl） HCl 的动力设施要求 Pressure: 3bar Temperature: 20 ℃ Max Flow: 1.5 Nm3/h 一次清洗 酸洗槽： HF去除硅片在清洗过程中形成的很薄的SiO2层，反 应如下： SiO2+6HF = H2[SiF6]+2H2O HCl去除硅表面金属杂质，盐酸具有酸和络合剂的 双重作用，氯离子能与 Pt 2+、Au 3+、 Ag +、 Cu+、 Cd 2+、Hg 2+等金属离子形成可溶于水的络合物。 漂洗工位 Pressure: 3~4bar Temperature: 20 ℃ Max Flow: 1.2 Nm3/h Aver Flow: 1.0 Nm3/h DIW 的动力设施要求 风干工位 Pressure: 6 bar Temperature: 20 ℃ Max Flow: 180 Nm3/h Aver Flow: 135 Nm3/h CDA 的动力设施要求 二次清洗 3.1 二次清洗的目的： 1. 去除硅片周边及背面P-N结，减少漏电流。 2. 去除在扩形成的磷硅玻璃，较少光的反射，降低 接触电阻。 3.2二次清洗设备的主要组成： 清洗主体 传送滚轮 抽风系统 冷却系统和PLC电控及操作系统。 一次清洗 整体工位布局平面图 二次清洗 二次清洗 3.3二次清洗的工艺流程： 二次清洗 二次清洗 刻蚀工位（HF+HNO3+H2SO4） 二次清洗 刻蚀槽：扩散中磷硅玻璃的形成： 4 POCl3 + 3 O2 = 2 P2O5 + 6 Cl2 在较高的温度的时候， P2O5作为磷源与Si发生了如下反应： 2 P2O5 +5 Si = 5 SiO2 + 4 P 所以去磷硅玻璃清洗实质上就是去除硅片表面的SiO2。 在刻蚀过程中，HF对二氧化硅的腐蚀发生如下反应： SiO2+6HF = H2[SiF6]+2H2O HNO3主要是用来刻蚀硅片边缘处的P-N结的，相当于等离子刻蚀。 溶液中加入H2SO4的目的是增大溶液的黏度及密度，使溶液与硅片更好的接触。 二次清洗 碱洗工位（KOH） 碱洗槽： KOH溶液，主要去除多孔硅和中和硅表面残余的酸。 反应如下： Si+2KOH+H2O =K2SiO3+2H2 去PSG工位（HF） 酸洗槽： HF溶液，主要去除硅片上表面的磷硅玻璃。 反应如下： SiO2+6HF = H2[SiF6]+2H2O 4 各溶液的浓度检测 4.1 检测设备 生产过程中使用的各种溶液的浓度，是根据酸碱滴定原理自动进行检测的。我们使用的检测设备，是由德国生产的Metrohm检测仪。它可以根据我们的需要，对各种溶液进行实时监控。 溶液浓度检测 4.2 HF浓度的检测： NaOH + HF = NaF + H2O 40 ： 20 M NaOH×V NaOH ： M HF×V HF 其中M NaOH = 80克/升，V HF = 10 毫升，V NaOH通过测量可知，则未知的氢氟酸溶液浓度M HF可以由计算得到。 M HF = 50 × M NaOH ×VNaOH 溶液浓度检测 4.3 KOH浓度的检测： KOH + HCl = NaCl + H2O 40 ： 36.5 M KOH×V KOH ： M HCl×V HCl 其中M HCl已知，V KOH=10毫升，V HCl通过测量可知，则未知的氢氧化钠溶液浓度M KOH可以由计算得到。 M KOH=0.011×M HCl×V HCl（克/升） 溶液浓度检测 4.4 HCl浓度的检测： NaOH + HCl = NaCl + H2O