模拟电子技术基础（张林）Lec04.pdfVIP

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2017-12-05 发布于浙江
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模拟电子技术基础（张林）Lec04.pdf

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4 场效应三极管及其放大电路分类： N沟道增强型 MOSFET P沟道 (IGFET) N沟道 FET 绝缘栅型耗尽型场效应管 P沟道 N沟道 JFET （耗尽型）结型 P沟道 1 Lec04 华中科技大学张林 4 场效应三极管及其放大电路 4.1 金属-氧化物-半导体（MOS ）场效应三极管 4.2 MOSFET基本共源极放大电路 4.3 图解分析法 4.4 小信号模型分析法 4.5 共漏极和共栅极放大电路 4.7 组合放大电路 4.9 各种FET 的特性及使用注意事项 2 Lec04 华中科技大学张林 4.1 金属-氧化物-半导体（MOS ）场效应三极管 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 4.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 4.1.3 P沟道MOSFET 4.1.4 沟道长度调制等几种效应 4.1.5 MOSFET 的主要参数 3 Lec04 华中科技大学张林 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 1．结构及电路符号 L ：沟道长度 W：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度绝缘体二氧化硅绝缘层沟道栅极 g SiO （ 2 ）铝电极 Al （）＋ N tox L N ＋ P 型衬底源极 s 通常 W L 漏极 d W 4 Lec04 华中科技大学张林 4.1.1 N沟道增强型MOSFET 1．结构及电路符号源极 s 栅极 g 漏极 d 铝铝