微波法合成SiC纳米线及其光致发光性质-新型炭材料.PDF

第30卷摇 第3期 新摇 型摇 炭摇 材摇 料 Vol.30摇 No.3 摇 2015年6月 NEW CARBON MATERIALS Jun. 2015 摇 文章编号:摇 1007鄄8827(2014)03鄄0230鄄06 微波法合成 SiC纳米线及其光致发光性质 1,2 1,2,3 1,2 1 1 1 黄摇 珊 ,摇 王继刚 ,摇 刘摇 松 ,摇 张玥晨 ,摇 钱摇 柳 ,摇 梁摇 杰 (1.东南大学 材料科学与工程学院,江苏省先进金属材料重点实验室,江苏 南京 211189; 2.东南大学鄄张家港工业技术研究院,江苏 张家港 215628; 3.西藏民族大学,陕西 咸阳 712082) 摘摇 要:摇 以Si粉、SiO 粉和人造石墨为原料,在1480益、4kW、80min 的真空微波辐照条件下快速高效地合成SiC纳米线。 2 利用SEM、TEM、XRD等对所得产物的微观结构解析表明,在未使用催化剂的条件下,基于气固(VS)机制可成功制备出茁 型 SiC。 根据坩埚中的部位不同,所得SiC呈现出不同的形貌。 坩埚上层的产物呈亮绿色,较为纯净,主要为直径约150nm 的纳 米棒,并含有部分微米级SiC 晶粒,表面氧化迹象不明显。 其余部分产物呈灰绿色,主要是直径为20 ~50nm 的SiC/ SiO 同 2 轴纳米线(表层的SiO 厚度约2nm),并夹杂有未反应完全的石墨和SiO 。 利用波长为240nm 的激发光分别对SiC纳米棒和 2 2 同轴纳米线的光致发光特性的测试表明,两者均可观察到峰位在390nm左右的发射峰,此结果与所报道的茁鄄SiC纳米材料的 发光性能相比,蓝移程度更高。 关键词:摇 微波法;碳化硅;纳米线;结构表征;光致发光 + 中图分类号:摇 TQ127.1 1 文献标识码:摇 A 收稿日期:2014鄄12鄄30;摇 修回日期:2015鄄05鄄07 基金项目:新世纪优秀人才支持计划; 西藏自治区重点科技项目; 江苏省“青蓝工程冶(NCET鄄12鄄0119);“六大人才高峰冶 (2013鄄JY鄄007). 通讯作者:王继刚,教授. E鄄mail:wangjigang@ 作者简介:黄摇 珊,硕士研究生. E鄄mail:huang163.com Structural characterization and photoluminescence properties of SiC nanowires prepared by microwave method 1,2 1,2,3 1,2 1 1 1 HUANG Shan ,摇 WANG Ji鄄gang