半导体物理复习题二.docVIP

与半导体相比，绝缘体的价带电子激发到导带所需要的能量（ A ）。 A. 比半导体的大 B. 比半导体的小 C. 和半导体的相同 受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B. 空穴 C. 电子 室温下，半导体Si掺磷的浓度为1014cm-3，同时掺有浓度为1.1×1015cm-3的硼，则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级为（ G ）；将该半导体由室温度升至570K，则多子浓度约为（ F ），少子浓度为（ F ），费米能级为（ I ）。（已知：室温下，ni≈1.5×1010cm-3，570K时，ni≈2×1017cm-3） A、1014cm-3 B、1015cm-3 C、1.1×1015cm-3 D、2.25×105cm-3 E、1.2×1015cm-3 F、2×1017cm-3 G、高于Ei H、低于Ei I、等于Ei 在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（ B ）有关 A. 杂质浓度和温度 B. 温度和禁带宽度 C. 杂质浓度和禁带宽度 D. 杂质类型和温度 MIS结构发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（ B ）。 A. 相同 B. 不同 C. 无关 空穴是( B )。 A.带正电的质量为正的粒子 B.带正电的质量为正的准粒子 C.带正电的质量为负的准粒子 D.带负电的质量为负的准粒子 砷化稼的能带结构是（ A ）能隙结构，硅和锗的能带结构是（ B ）能隙结构。 A. 直接 B. 间接 将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起（ B ）杂质作用。 A. 施主 B. 受主 C. 陷阱 D. 复合中心 在热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为100%，如果温度大于热力学温度零度时，能量比小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。 A. 大于1/2 B. 小于1/2 C. 等于1/2 D. 等于1 E. 等于0 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 如图所示的P型半导体MIS 结构的C-V特性图中， CD段代表（ B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止以后，非平衡载流子衰减为原来的1/e，则光照忽然停止的时间t等于（ B ）。 A. 0 B.τ C. 2τ D. 3τ 载流子的扩散运动产生（ B ）电流，漂移运动产生（ A ）电流。 A. 漂移 B. 扩散 C. 热运动 对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（ B ）。 A. 声学波散射和光学波散射 B. 声学波散射和电离杂质散射 C. 光学波散射和电离杂质散射 D. 光学波散射 证明题 对于某P型半导体，试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之下。即EFPEFI 。 证明：对于n型半导体 即 则有 在室温下，已知Si中的空穴浓度为,Si的禁带宽度Eg=1.12eV，有效能态密度Nc=Nv= 1019cm-3，kT=0.026eV，）试求：（1）电子的浓度；（2）费米能级相对于Ec的位置；（3）判断该半导体是何种导电类型。 ， ，所以 （2）， （3）n型半导体 室温下，本征锗的电阻率为47，试求本征载流子浓度。 若掺入磷原子，掺杂浓度为，计算室温下电子浓度和空穴浓度(设杂质全部电离)。试求该掺杂锗材料的电阻率。设， 且认为不随掺杂而变化。 解： （1）， （2） 杂质全部电离， （3） 画出金属和N型半导体接触能带图（，且忽略间隙），并分别写出金属一边的势垒高度和半导体一边的势垒高度表达式。 解： 如图所示，为P型半导体MIS结构形成的电荷分布图，画出对应的能带图电。 解： 光均匀照射在电导率为0.5的n型Si样品上，电子－空穴对的产生率为4×1021cm-3s-1，样品寿命为8μs。试计算光照前后样品的电阻率。（，） 解： 光照前 光照后，，