平面霍尔效应传感器的原理与研究进展 principle and research development on planar hall effect sensor.pdfVIP

平面霍尔效应传感器的原理与研究进展 陈栖洲，汪学锋，张怀武，钟智勇 (电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都610054) 摘要：首先简要介绍了铁磁材料平面霍尔效应(PHE)的原理，然后介绍了基于平面霍尔效应的传感器 的研究进展。其中包括传感器尺寸及形状的变化和材料的改进、制作工艺及流程。接着介绍了PHE传感器的几 种典型结构，总结了温度、铁磁层薄膜厚度等对传感器灵敏度的影响。最后，讨论了目前存在的问题及发展前 景。 、1 关键词：平面霍尔效应；传感器；原理；结构；性能 中图分类号：TP212．13 文献标识码：A 文章编号：1001—3830(2011)03．0004．05 andresearch on Hall development effectsensor Principle planar CHENXi—zhou，ZHANG Huai-wu，ZHONG Zhi—yong，WANGXue-feng State ThinFilmsand KeyLaboratory Integrated ofElectronic Devices,Universityof ElectronicScienceand Technology 610054,China ofChina，Chengdu of Hall thentherecent Abstract：Firstly,theprincipleplanar effect(PHE)wasbrieflyintroduced，and of Halleffectsensorswas thesizeand of material developmentplanar reviewed’includingshapechangesensoL etc．After structuresofPHEsensorwere the improvement，andpreparationprocess that，severaltypical described，and influenceofsomeotherfactorssuchas andfilmthicknessonthesensor Wassummarized．Atthe temperature sensitivity andits werediscussed． end，theexisting developingprospects problems Hall Keywords：planareffect；sensors；principle；configuration；capability 的数量级来决定的。 1引言