偏置电压对pecvd法沉积tio2薄膜的结构和性能影响 optimisation of pecvd deposition process for titanium dioxide thin films optical property.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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偏置电压对pecvd法沉积tio2薄膜的结构和性能影响 optimisation of pecvd deposition process for titanium dioxide thin films optical property.pdf

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偏置电压对pecvd法沉积tio2薄膜的结构和性能影响 optimisation of pecvd deposition process for titanium dioxide thin films optical property

测试测量技术 TitaniumDioxideThinFilm。s ofPECVD Processfor Property OptimisationDeposition Optical 谭嘉杰，杨元政(广东工业大学材料与能源学院，广东广州5lo006) Tan 8nd Jh-jie，YangY岫n-zheng(Mmerial8E舱rgyF删ky，cu觚gdmlgulIiv哪畸0f 1kh肿Io舒，Gu蚰gd佣gGu跚s出删510006) 摘要：该文采用射频等离子体增强化学气相沉积法制备了*o：薄膜样品．并通过椭嘲偏振仪、红外光谱仪和扫描电子显微镜测量rr薄膜厚度、组织结构和光学特性。结果表明：沉积速率随偏置电压升高而增大．在偏爱电乐为lOV时．沉积速率达到最大值为3．9n—min，然后沉积速率下降，偏置电压在20V以后，沉积速率基本不变为3．on“min。薄膜密度随偏置电压的提高不断}：升并在20v时达到最大值4．39*m，，随后密度稍有F降。伴随偏置电胀的升高，薄膜的折射系数n持续升高．fH消光系数变化较少。未加偏置电压时，薄膜样品的结构为锐钛矿结构。偏置电压大于lOv时，薄膜为金红石结构。此外。随着偏置电压的增大，薄膜鼎粒尺寸下降。关键词：等离子体化学气相沉淀；偏置电压；二氧化钛薄膜；光学特性中图分类号：TB383 文献标识码：A 文章编号：1003_0107(20il)05—0015加3 ^h巾嘲：Radio enhancedchemlcaIvapordep08i墩m Tlo}t卜n eIIlpsornetry，}nf馈red8pec一 frequencypIasma prepared f¨ms．By offilm and Theresuns thaL and el鳅ron measur爿nentsthickne88．8tructureoptIca}p‘openIessr舢ed 仃oso。pyscannmgmlcros∞pe of r猷ereachedamaⅪmurn tP峙deposition馆Ieincre鸽eswmthebiasvoItageIncreases，thebiasvO托89e1dv．thedeposmon blas is2dV no ratei“to30nm／mmFiIm 3．9nHVmln．anddeposnionratedecreases．thevohagethen．almostdeposnIon den8时incre88e with andthe20vmaxim州1VaIue4 decr朗sed wmthebias In— lncrea8ingbl雒voItage 39，cm3．竹啪thedenslty sIightIy VoItage