低压下激光剥离的研究.pdfVIP

2014年6月15日 现代电子技术 Jun.2014 第37卷第12期 ModernElectronicsTechnique Vol.37No.12 156 156 低压下激光剥离的研究 林 飞，陈志远，刘宝林，朱丽虹，李晓莹，曾凡明 （厦门大学 物理与机电工程学院，福建 厦门 361005） 摘 要：为了研究低压环境对激光剥离的影响，利用准分子激光剥离系统和真空腔对GaN/蓝宝石样品分别在低压下和 常压下进行多脉冲激光照射，之后用台阶仪测量样品的分解深度，得知相比常压环境，低压下GaN分解深度在脉冲次数 为10次、20次、30次时分别增加了为10.2% ，19.0% ，24.3% ，之后结合GaN材料分解过程和脉冲激光照射GaN/蓝宝石结构过 程进行理论分析得到相应低压和常压下的GaN材料的理论分解深度，得到与实验一致的趋势。证明了低压环境能提高激光 剥离速率。 关键词：GaN；激光剥离；多脉冲激光照射；激光剥离速率 中图分类号：TN24⁃34 文献标识码：A 文章编号：1004⁃373X（2014）12⁃0156⁃04 Study on laser lift⁃off of GaN material in low pressure LINFei，CHENZhi⁃yuan，LIUBao⁃lin，ZHULi⁃hong，LIXiao⁃ying，ZENGFan⁃ming （SchoolofPhysicsandElectromechanicalEngineering，XiamenUniversity，Xiamen 361005，China） Abstract：Inordertostudytheeffectsoflow⁃pressureenvironmentonlaserlift⁃offprocess，theexperimentthataGaN/sap⁃ phiresamplewasirradiatedbyanexcimerlaserlift⁃offsystemindifferentpressurewascarriedout，andthenthedecomposition depthofthesamplewasmeasuredwithaprofilometer.TheresultsshowthatthedecompositiondepthofGaNinlowpressureis increasedby 10.2% ，19.0% and 24.3% whichcorrespondstothenumberofpulsesof 10，20 and 30.One⁃dimensionalheatflow modelofGaN/sapphirestructureirradiatedbylaserwasestablished.ThetemperaturefieldinGaNwascalculatedandanalyzed. ThedecompositiondepthofGaNindifferentpressurewasobtained.Thetheoreticalcalculationresultisconsistentwiththeex⁃ perimentalresult.Itindicatesthattheefficiencyoflaserlift⁃offinlowpressureenvironmentishigherthanthatinordinarypres⁃ sureenvironment. Keywords：GaN；laserlift⁃off；multipulselasarirradiation；laserlift⁃offrate 从蓝宝石衬底一侧照射外延片，这束激光只会