金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件!-物理学报.PDF

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金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件!-物理学报

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 9$ 7 $8 7 , , , NO0 -9$ MO -7 PQ0R $8 ( ) !.8$%5$859$ 7 5 !7.9 4:,4 @KL)B:4 )BMB:4 !$8 :3SC - @3R2 - )OT - 单电子晶体管 金属氧化物半导体场效应 ! 晶体管多峰值负微分电阻器件! 张志勇 王太宏 (中国科学院物理研究所,北京 !# ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) $$ % ! $$ ! $ 传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制,由单电子器件和传统的金属氧化物半 导体场效应晶体管( )器件组成的多峰值负微分电阻器件在原理上具有无穷多个峰值,并且 使单电 ’()*+, ’()*+, 子晶体管( )的峰值和谷值电流大小受其源漏电压的影响减小 利用这种多峰值负微分电阻器件实现了多值存 )+, - 储器,该存储器原理上是无穷多值的 并且利用它的折叠的 特性,实现了一个 位的 转换器,与传统 - !. / *0123 45 6 的 转换器相比, 的 转换器大大地简化了电路 *0123 45 6 )+,.’()*+, 45 6 - 关键词:库仑阻塞,库仑振荡,负微分电阻,多值存储器 : , , #$$ 7889: 78/; 7$% 两种器件就变得非常便利 一种用 方法制成 - @46(A ! 引 言 的)+,.’()*+, 负微分电阻器件,从原理上可以产 生无穷多个峰,图 给出这种器件结构等效电路图: ! 单电子晶体管( )具有独特的电流特性,例 )+, 一个具有固定的栅偏置电压 的 ,其源端

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