自考02234《电子技术基础》一复习资料.docVIP

第一章 半导体基础 三.本征半导体：纯净的单晶形式存在的半导体称为本征半导体。同时存在空穴导电和电子导电两种导电方式。而且空穴所形成的电流方向和电子形成的电流方向相同，两种导电方式的同时存在，是半导体导电机制的最大特点，也是区分导体导电和半导体导电的最大区别。 四．杂质半导体：1.N型半导体：掺入少量五价元素（如磷或砷）即可得到N型半导体，自由电子导电是杂质半导体导电的主要形式，少子是空穴，多子是自由电子。2. P型半导体：掺入少量三价元素（如硼或铝）即可得到P型半导体，空穴导电是杂质半导体导电的主要形式，少子是自由电子，多子为空穴。 第二节．半导体二极管 伏安特性：当二极管上电压加到一定时，电流显著增加，这一电压称为门槛电压或死区电压，记Uth,一般硅管为0.5V，锗管为0.1V。 二极管的击穿分为热击穿和电击穿。电击穿又分为雪崩击穿和齐纳击穿两种，这两种击穿的过程是可逆的，当反向电压降低后，能恢复，但如电压过大，电流过大，会过渡到热击穿。 第四节，特殊二极管 稳压二极管：它的反向特性比普通二极管更加陡直，这正是它用来稳压的依据所在。一般在使用中，要串联一个限流电阻，以防止热击穿。通常稳压大于6V的是雪崩击穿，小于5V的是齐纳击穿。一般rz越小，稳压效果越好。 第五节 半导体三极管：特点：1）基区非常薄，掺入杂质少，多数载流子浓度低。2）发射区多子浓度大于基区；3）发射极面积远小于集电极面积。按用途分：放大管和开关管。 三极管的电流分配：放大电路条件：发射结正偏，集电结反偏。是三极管进行电流放大的重要外部条件。 三级管的三种不同工作状态： 放大区：UCE=1V，放大区的偏置特征：发射结正向偏置，集电结反向偏置； 截止区：UBE=0V，放大区的偏置特征：发射结反向偏置，集电结反向偏置； 饱和区：会出现UCE UBE，发射结正向偏置，集电结也正向偏置。这时两个PN结都正偏，相当于接通的开关。 三极管的使用原则与注意事项：1）直流电源极性对地为正时，用NPN管，如为负，则用PNP管。2）β一般在几十到100间。 。 场效应管 ，与三极管相比，栅极相当于基极，源极相当于发射极，漏极相当于集电极。（原称FET）有两种，一种是结型场效应管（JFET）分为N沟道（箭头向里）和P沟道（箭头向外），结型场效应管栅源之间的PN结外加反向偏压，因而它的输入电阻很大，栅极几乎不输入电流，有三个工作区域（可变电阻区，饱和区，击穿区）。另一种是绝缘栅型场效应管（IGFET，又称MOS）分增强型（符号用三小竖的）和耗尽型（符号用一竖），P沟道箭头向外，N沟道箭头向里。N沟道耗尽型场效应管可在正或负栅源电压下工作，实现其电压控制电流的作用，无栅流，使用灵活，应用范围广。 五．场效应管的特点同双极型晶体管（三极管）的比较： 1）导电机制：场效应管利用多数载流子工作，而三极管即利用多数载流子工作，又利用少数载流子工作，故称双极型。 2）从控制方式讲，场效应管是电压控制器件，而三极管是电流控制器件。 3）场效应管源极和漏极对称，可互换使用。 场效应管使用注意事项： 1）结型场效应管栅源电压不能接反，可用万用表检查，绝缘栅型场效应管保存时三脚要短接，不能用万用表检查。 放大电路基础 输入输出信号共用射极，称为共射电路。共用基极，称为共其电路，共用集电极称为共集电路（射极输出器） 基本放大电路组成及工作原理 共射电路：静态工作点：(计算静态工作点的目的：一是看Q的位置是否合适，一般UCEQ在1/3～2/3UCC较合适。IBQ=（UB-UBEQ）/RB，ICQ=βIBQ,UCEQ=EC- ICQ RC,简化成一个电源UCC后，IBQ=（UCC-UBEQ）/RB，ICQ=βIBQ,UCEQ=UCC- ICQ RC。 非线性失真：静态工作点合适（中间）不失真，工作点过高饱和失真，过低截止失真，负载线斜率：tana=-1/R′L。 线性动态分析，方法：微变等效电路，三极管等效成一电阻rbe=300+（β+1）26/IC，和一个受控电流源βIb,电压放大倍数Au的相量，输入电阻ri,输出电阻ro。 画微变等效电路，这时电容相当于短路，UCC到地也是短路，再用三极管的等效符号代入即可。电压放大倍数Au的相量=Uo的相量/Ui的相量, R′L =Rc//RL故Uo的相量=-βIb相量R′L，而Ui的相量=Ib相量rbe,故电压放大倍数：Au的相量=-βR′L/rbe，输入电阻ri=Ui的相量/Ii的相量= RB// rbe, 输出电阻ro近似等于Rc即ro=Rc。 固定偏流电路存在的问题：温度升高，Q点会上移，使ICQ升高，电路不稳，要改成分压式偏置电路。 分压式偏置稳定共射放大电路 电路组成及稳定静态工作点的原理 分压式偏置稳定共射放大电路与固定偏流电路相