UU=存储器中隧穿氧化层淀积预清洗工艺研究-微电子学.PDF

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2017-08-12 发布于天津
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UU=存储器中隧穿氧化层淀积预清洗工艺研究-微电子学

第卷第期微电子学年月存储器中隧穿氧化层淀积预清洗工艺研究张顺斌张可钢石艳玲陈华伦华东师范大学上海上海华虹宏力半导体制造有限公司上海摘要介绍了当今业界流行的两种隧穿氧化层淀积预清洗工艺改进的预清洗工艺以及预清洗工艺通过实验对比各自优缺点分析差异产生的根本原因相对于改进的预清洗工艺预清洗工艺使存储器阈值电压窗口增大约但可靠性测试结果表明工艺会降低器件的耐烘烤和耐擦写循环能力进一步的电荷泵对比实验结果表明工艺引起的耐烘烤和耐擦写循环能力的降低分别由界面态增加和隧穿氧化层变薄引起关键词可靠性界面态中图分类号文献标识码文章编号