利用背景掺杂对sic cvd系统总体泄漏程度评价方法研究 a method for estimating the rate of total leak by background doping of sic cvd.pdfVIP

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2017-08-12 发布于上海
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利用背景掺杂对sic cvd系统总体泄漏程度评价方法研究 a method for estimating the rate of total leak by background doping of sic cvd.pdf

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利用背景掺杂对sic cvd系统总体泄漏程度评价方法研究 a method for estimating the rate of total leak by background doping of sic cvd

工业毫用设备团舞曼垦!塑卿!塑od眦拇Manufacturing ·IC制造设备与工艺· 利用背景掺杂对SiCCVD系统总体泄漏程度评价方法研究刘永立．陈昊 (河北半导体研究所，河北石家庄050051) 摘要：以各部分管道检漏达到低于lX CVD为考察对象，通过分析SiC热 10。10(Pa·m3)／s的SiC 壁式CVD设备中影响背景掺杂浓度的杂质来源和与之对应的硬件因素。对比在不同的真空条件下得到的外延层背景掺杂浓度变化趋势。并得到最低4×1013cm。的极低背景掺杂浓度。证明反应腔中的石墨。尤其是多孔石墨中吸附的大量氮气提供了作为背景掺杂的氮元素。定性得到系统整体漏率对背景掺杂无显著影响的结果。关键词：SiC外延；hot--wall；真空；漏率；背景掺杂文献标识码：A 1-0023—04 中图分类号：TN305．3 文章编号：1004—4507(2008)l AMethodfor theRateofTotalLeak Estimating by ofSiCCVD BackgroundDoping LIU Hao Yongli，CHEN SemiconductorResearch 05005 (Hebei Institute，ShijiazhuangI，China) Abstract：ASiC theleakratesof werelowertha1×l the CVD，which everypans 0‘10(Pa’m3)is，was researchinthis wasdoneforthe ofthesourceof object paper．Aanalysis relationship backgrounddop— andhardwareconditions．Wesome underdifferentvacuumlev- ing grew backgrounddopingsamples els．A lOW arrivedwithlowas4×1013cmo．We thattheNitro— was as very backgrounddoping proved cells． ofthe is comefromthe in of parts gen backgrounddopingmainly nitrogen—adsorptiongraphite the