记忆体元件之基本原理与架构.docVIP

記憶體元件之基本原理與架構 1.積體電路的類別: 積體電路因功能的不同,大致可以分成三大類 (1) 數位積體電路 此種積體電路操作的邏輯電壓準位只有兩種, 即為“邏輯0”與“邏輯1”,如記憶體元件的: 靜態隨機存取記憶體SRAM (Static Random Access Memory), 動態隨機存取記憶體DRAM (Dynamic Random Access Memory) (2) 類比積體電路 此種積體電路操作上不是只有“邏輯0”與“邏輯1” 應用層面相當廣,如通訊產品上所使用的元件. (3) 混合積體電路 該類積體電路包含了數位積體電路與類比積體電路,故稱為混合積體電路,如許多廠商自行設計的: ASIC(Application Specific Integrated Circuit) A/D (Analog to Digital) converter D/A (Digital to Analog) converter (2) IC結構方塊圖: 3.記憶體IC的規格: 　每一種IC都有其規格,因此在生產製程中, 會依其規格來製造,而測試機台的目的就是 為了量測IC生產後是否符合這些規格。 　至於IC規格,因不同的產品或不同的生產 廠商,會有一些差異,測試程式會依照廠商所 提供的規格來撰寫。 4.積體電路動作的方式: 下圖是從記憶體IC讀取資料的周期時序圖, 要順利的完成此一動作,就必須依規格表來 定義以下幾各重點: 1.IC 使用電壓(Vcc,Vss) 2.輸入(Vin)訊號電壓 3.IC 輸出(Vout)資料電壓 4.各訊號時序準位(Timing Edge) 5.位址和資料 IC測試的流程中,有晶片針測(Wafer Test) 與封裝完後的測試(Package Test,Final Test), 以測試的項目而言,在記憶體IC測試中大致 可以分為三類,分別說明如下: 1.直流參數測試(DC Parametric Test) 2.交流參數測試(AC Parametric Test) 3.功能測試(Function Test) 1.直流參數測試(1)Open/Short Test(Contact Test)測試模組 ①Signal Pin Open/Short Test OPENS: PCON = 0 ALL = OPEN VS1 = OPEN ISVM =-100UA,R800UA,M8V,2V,-7V LIMIT DC = NEGLECT,-1.0V SETTLING TIME =1MS,1MS TEST TN MEAS DC(ALL) GOTO CONTINUE Short Test Condition same as Open TestOnly U-limit L-limit spec diff. SHORTS: PCON = 0 ALL = OPEN VS1 = OPEN ISVM =-100UA,R800UA,M8V,2V,-7V LIMIT DC = -0.2V,NEGLECT SETTLING TIME =1MS,1MS TEST TN MEAS DC(ALL) GOTO CONTINUE Nc Pin Open/Short Test OPEN4NC: PCON=0 VCON=VS1 VS1=0V ALLPIN=FIXL ;ALLPIN=OPEN ISVM =-100.0UA,R(800UA),M(8V),2V,-5V LIMIT DC=-1V,NEGLECT SETTLING TIME=3MS 1.MS TEST TN MEAS DC(NC4PIN) GOTO CONTINUE ②VCC Pin Open/Short Test VCCOPEN: TEST TN VS1=5.6V,R8V,M4MA,4MA,-2MA INP1 = IN1,FIXL IO=OPEN LI