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TI新PWM控制器提升电信及工业电源效率

Ll 业界要闻 一————————————————————————————巷————————1■!【j●J一IJj 扩展,可同时提供读缓存和写缓存,也是业界首款采 决方案将 于 2011年第 四季度上 市 。 (来 自 用 SSD同时实现读 /写高速缓存功能的SSD专用 GLOBALFOUNDRIES公司 ) 控制器高速缓存技术。(来 自LSI公司) Open—Silicon采用 TI新 PWM控制器 Magmal~OSiIiconSmartACE进行 提升 电信及工业 电源效率 标准单元和 l/0单元特征化与建模 近 日,德州仪器 (TI)宣布推出两款高效率 Magma公司近 日宣布,Open—Silicon公司采用 PWM 电源控制器,具有集成型可编程延迟同步整流 SiliconSmartACE作为标准单元和 I/O单元特征化 器控制输出以及预偏置启动电路。该 UCC28250与 与建模标准工具。作为SiliconSmart的长期用户, UCC28950“绿色环保控制器”可为电信、服务器以 OpenSilicon升级用了SiliconSmartACE,充分利用 及工业系统等高密度隔离式电源简化设计 ,提升效 了该工具公认快速精确的多个工艺、电压和温度 率。上述器件支持半桥、全桥、交错式正向以及推挽 (PVT)角点库特征化的能力,这将让他们能够对采 式等多种高频率拓扑,不但可满足严格的预偏置启 用先进工艺的设计最大程度地降低功耗并提高性 动需求,而且还支持多种高效率拓扑。(来 自TI公 能。Open—Silicon使用 SiliconSmar|ACE对他们专利 I) 技术 CoreMAXTM特定设计库增强流程 中新单元进 行特征化并用于Open—Silicon的VanMAX 反馈偏 GL0BALF0UNDRlES 压库单元的再特征化。(来 自Magma公司) 为汽车业应用提供BCDIite工艺 胶水业顶级巨头助 GLOBALFOUNDRIES日前宣布其正在提供为 IBM开发 3D芯片封装 汽车应用 (如动力管理设备 、音频放大器、显示器和 LED驱动 Ic)而优化的BCDliteTM晶圆制造工艺。这 近 日,IBM和 3M公司联合宣布将开发一种新 项 0.18urn技术以经验证的、消费应用大批量制造所 的粘合剂,可将多层硅片堆叠 ,实现半导体的3D封 用的工艺为基础,是一个综合的模块化平台,具有无 装。半导体和粘合剂行业两大专家的联合被认为能 可比拟的性能和成本组合。0.18umBCDliteTM平台在 大大促进新材料与3D芯片的开发。IBM称,即将开 简化的工艺中采用了具有竞争力的Rdson (导通 电 发新的3D封装 中硅片最多可叠加多达 100层 ,能 阻),并提供了丰富的设备特性化、建模 、ESD和 使芯片整合度进一步得到提高,SoC解决方案会拥 PDK支持。此外,客户还可选择嵌入式 OTP非易失 有更大的可行性——cPu、网卡、内存均可封装入同 性存储器。 一 芯片中,可创造出比现在快 1000倍的处理器。 为 确 保 其 汽 车 工 艺 制 造 的稳 健 性 , IBM此前已经在纳米层级的蚀刻技术上取得了 GL0BALF0UNDRIES的0.18umBCDliteTM已通过汽 突破,不过实现 3D封装的最大一个困难是粘合剂 车电子设备委员会的AEC—QlOOGroupD关键可靠 的特性

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