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外加磁场对!纳米线生长过程的影响!

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 , , , )# , $##, , 18’)#Q’,G?L $##, R / / ()/ ,###H$*#$##,)#, #,.*H#. D%EDO5P2I%D2IQI%D $##,%;J’O;N’2S’ R 外加磁场对 纳米线生长过程的影响! ! 葛世慧 黎 超 马 骁 李 伟 李成贤 (兰州大学教育部应用磁学开放实验室,兰州大学物理科学与技术学院,兰州 ) !#### ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) $### $ $### ! 用电化学沉积的方法成功地制备出 纳米线阵列 通过在纳米线沉积过程中加磁场来影响其生长 用透射电 % ’ ’ 子显微镜、 射线衍射和振动样品磁强计对样品的结构和磁性进行了测试分析,结果表明外磁场导致 晶粒定向 ( % 生长得到的纳米线阵列具有垂直磁各向异性,矫顽力和矩形比大大提高’ 关键词:纳米线,电沉积,垂直磁各向异性 : , , #$!! !)+# -$.) +.-# [] 品衬底采用 ! 公司生产的聚碳酸酯膜 这 :;=7 ’ , 引 言 种膜由重离子快速通过后进行化学腐蚀,在其内形 成直径为纳米量级并与膜面垂直的圆柱状孔洞 本 ’ 随着计算机、多媒体及信息高速公路的发展对 实验采用的膜厚约 ,# 7,纳米孔洞的直径为.## ! 存储密度要求的不断提高,垂直磁记录技术的研究 + $ ,孔密度为 / 电沉积前,用直流磁控溅射 7 ,# 77 ’ 已引起人们的高度重视 高密度垂直磁记录技术要 在聚碳酸酯膜的一面镀上约 厚的 基底 ’

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