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IXGH42N30C3;IXGP30N60C3;IXGA42N30C3;IXGP42N30C3;中文规格书,Datasheet资料
GenX3TM 300V IGBT IXGA42N30C3 VCES = 300V IXGH42N30C3 IC110 = 42A V ≤ ≤ ≤ 1.85V High Speed PT IGBTs for IXGP42N30C3 CE(sat) ≤ ≤ 50-150kHz switching t = 65ns fi typ TO-263 (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings V T = 25°C to 150°C 300 V CES J G VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 300 V E C (TAB) VGES Continuous ±20 V TO-247 (IXGH) V Transient ±30 V GEM IC110 TC = 110°C (chip capability) 42 A ICM TC = 25°C, 1ms 250 A I T = 25°C 42
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