PIN型非晶硅太阳电池界面态对电池性能的影响.PDFVIP

i阳光技术 SunTechnology PIN型非晶硅太阳电池界面态对 电池性能的影响 上海交大泰阳绿色能源有限公司 郭群超 熊胜虎 孔慧 林飞燕 摘 要 本文运用美国滨州大学开发的微光电子结构分析模型AMPS(AnalysisofMicroelectronicandPhotonicStructures)模拟分析了pin型非晶硅 薄膜太阳电池p／i和 l，n界面态对电池性能的影响。分析模拟结果发现 ，pin型非晶硅电池的p／i界面 ，其重要性要远远高于 i，n界面，因此在实际生产中应当更加 注重 D／i界面的工艺控制和开发新的界面处理工艺。随后改变p／l界面处的缺陷态密度，并模拟计算出电池性能参数 ，并据此对实际生产提出了可行性建议。 关键词 非晶硅太阳电池 模拟计算 界面 态密度 Theinfluenceofinterfacestateonthecharactersof PIN-typeamorphoussiliconsolarcells ByGuoQunchao，XiongShenghu，KongHuiandLinFeiyan Abstract AMPS (AnalysisofMicroelectronicandPhotonicStructures)，whichdevelopedbyPennsylvaniaStateUniversity。hasbeenusedto modulethecharactersOfPIN—lypeamorphoussolarcells．Thosesolarcellshavedifferentp／iandi／ninterfacestate．Theresultsindicatedthatthe interface ismoreimportantthanthei／ninterfaceinpin-typeamorphoussiliconsolarcells．S0weshouldkeepakeeneyeonthecontrolofprocessparametersof the p／iinterfaceanddevelopingthetreatmentsofinterlaceinourpracticalproduction．Afterthat。thestatedensityinthep^interfaceofsomesolarcellshadbeen changed，andthecharactersofthosesolarcellshavebeencalculated．Atlastfeasiblesuggestionshavebeenbroughtup． Keywords Amorphoussiliconsolarcells，Module，Interface。Statedensity ShanghaiTopsolaGreenEnergyCo．一Ltd． 0 引言 指数描述 I，隙间定域态密度呈双高斯函数 非晶硅太阳电池以低成本和工艺易集 分布，分别对应类施主态和类受主态，二者 成引起 了光伏界的广泛关注。为更好地理 呈正相关能关系，也就是说类施主态在下， 解其中的物理机理，从而指导实验研究和 类受主态在上 。AMPS还对隙问定域态密 =E 生产 ，旱在 20世纪 8O年代初许多研究小 度提供了一种平均分布的背景模式。对于 组就开始了此种 电池的模拟计算研究并取 非晶硅 ，我们用指数函数和双高斯分布函 得了一系列成果 。界面问题是非晶硅薄膜 00 01