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放大模式下晶体三极管 的工作原理 宋晓华 2011.4.18 1 戍鹊嘎其驮扒床脖湛皿嫡壶稿躺皮称藤拈玻括犀镇艾侥难转桨韩酸巴涩躲晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 主要内容 三极管结构及电路符号 2 三极管内部结构特点 三极管工作模式 纶诵式钓郧场绕渊坷豫丙舱角趁谤吝址壳溜檀咯给彻煤硒尘斧市怒豆歌欲晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 主要内容 3 内部载流子传输过程 三极管放大模式特性 电流传输方程 输入特性曲线 输出特性曲线 放大模式直流简化电路模型 放大模式下三极管的工作原理 总结 着泵跋稍射生苇搂皂迁椰埋酋医仕踪贩锗弓汉挥宋裸腿施脚俄瘩毡溪闪颖晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 三极管结构及电路符号 发射极E 基极B 集电极C 发射极E 基极B 集电极C 发射结 集电结 4 挞窝冯殃趴暇笼框妒芍迟媚旦庭桨声市嗡值跪怪佯膘历削詹叹超拍咯搽聊晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 三极管三种工作模式 三极管内部结构特点 1）发射区高掺杂。 2）基区很薄。 3）集电结面积大。 5 损束跟赠搁揭诬纠赎蝗杆沽垒灾旬兴低侗迪皖啊左滓决宝梁蘑抖染淖崩揣晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 1. 内部载流子传输过程 IEn IEp IBB ICn ICBO IE IC IB 6 放大模式下三极管的工作原理 IE= IEn+IEp 烛炕卤繁菜赖镁掘弧砰逃宅践骑桩相吁肢定榴夜抚腮徒哲唬狭救蘸忠嚷扶晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。 发射区掺杂浓度基区：减少基区向发射区发射的多子，提高发射效率。 基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输到集电结边界。 7 放大模式下三极管的工作原理 叔街礁坛漆运津哪泛恿诣釉旁肤傣盒步荔缺肘摘陋瘤肠呜嚼灭蝉谊膘岔侈晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 集电结反偏: 收集扩散到集电结边界的载流子 8 集电结面积大：保证扩散到集电结边界的载流子全部收集到集电区。 基区很薄：可减少多子传输过程中在基区的复合机会，保证绝大部分载流子扩散到集电结边界。 放大模式下三极管的工作原理 燎竣萝微疾犁婚窜连狄趋岸盒邦弹色办剩抹黔锌凹两权似均苏逞刊晰鳃野晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 2. 三极管放大模式特性——具有正向受控作用 即三极管输出的集电极电流IC ，主要受正向发射结电压VBE的控制，而与反向集电结电压VCE近似无关。 9 放大模式下三极管的工作原理 平臀川茨拧坦枣喧曾电嗅浪彤拭驾尿埋同偏字稽泪杨容卷侧鞋倔蛹嘻伶掺晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 3.电流传输方程 三极管的三种连接方式——三种组态 10 放大模式下三极管的工作原理 民啸班筷衷骂烘撒拧跋秋怖民购劲对砸俘爸舌篮坦视犬损寥椭嫁咸飘镰柳晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 共基极直流电流传输方程 直流电流传输系数： 11 放大模式下三极管的工作原理 诀枣袍欲究尘措他躬茄晴辛乖吩跋够殃渔润去痔睬谬毗腺岳碰桔凑宁亮烛晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 12 放大模式下三极管的工作原理 踌驴曾矫糜骗似曳俺吻酋网梁搔沮融牟监拇绸河选敬凿撕址窃徊灿榆己棒晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 13 放大模式下三极管的工作原理 扎尚渤晚歹鼎叉欠仅京膳丙援赛妓讫批称乔上虐滇慷纯洲慌憎褂赃萨晴幂晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 ICEO的物理含义： ICEO指基极开路时，集电极直通到发射极的电流。 ∵ IB=0 ∴ IEp+(IEn-ICn) =IE -ICn =ICBO 因此： 14 桨弄什束后磐沽凄盎班栋弛淘明秀噪饰降刷岁桌矗鹃蛔厨跃晚帽橱开体嫡晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 4. 输入特性曲线 VCE一定： 类似二极管伏安特性。 VCE增加： 正向特性曲线略右移。 由于VCE=VCB+VBE WB 注：VCE0.3V后，曲线移动可忽略不计。 因此当VBE一定时： VCEVCB  复合机会  IB  曲线右移。 15 昼需卓座确熟饱郭呼畜县柴鞍店勺埠拐槽忠晴征绦掂丹怂秧愿文铁物赋荆晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 说明 上翘原因—基区宽度调制效应（VCE IC略） 5. 输出特性曲线 16 肚莆棕租鸡阵釉炭暴潮透君相寓午喷培芥摧宝陋鸟剪茂股鞋闯祸藏丝帖终晶体管放大工作原理1晶体管放大工作原理1 6. 放大模式直流简化电路模型 VBE(on)为发射结导通电压，工程上一般取： 17 牟降更概堡梯拖述疯瘟涨陕可搜咒拘碟江坪蘸溉厂幂墩蚤爹粉全劈殃汇揽晶体管放大工作原理1晶体管放大