第四章的BJT.pptVIP

厄雷效应(Early Effect) * 厄雷电压 厄雷效应 * VEB固定 穿通效应（Punchtrough) * BJT的频率响应 * BJT等效电路 * 输入电导 跨导 输出电导 截止频率 * 特征频率 * 短基区宽度 高扩散系数少数载流子 BJT开关过程 * IB BJT开关过程 * 异质结BJT * 改变发射区和基区掺杂浓度； 改变材料，改变禁带宽度，改变ni； 异质结BJT * 提高发射效率； 允许增加基区掺杂浓度： 1）阻止穿通效应； 2）减短基区宽度， 降低渡越时间， 提高截止频率； 可控硅器件(thyristor) * 两端可控硅器件 * 两端可控硅器件 * 三端可控硅器件 * * 双极型晶体管Bipolar Transistor 《半导体器件物理》 * 第一个晶体管(Transistor) * 1947年贝尔实验室约翰·巴丁、沃尔特·布拉顿在威廉·肖克利的领导下发明; pn结和双极型晶体管 * 双极型晶体管： Bipolar Junction Transistor PN 结 平衡状态下BJT * + 放大模式下共基组态 * E 放大模式下共基组态 * (热平衡状态下) (放大模式下) 一维BJT结构图和符号 * 放大模式下少数载流子分布 * 发射结正偏 集电结反偏 放大模式下少数载流子分布 * 放大模式下少数载流子分布 * 放大模式下发射极电流 * 放大模式下少数载流子分布 * 放大模式下集电极电流 * VBE exp(qVBE/KT) 0.1 4.7E+01 0.2 2.2E+03 0.3 1.0E+05 0.4 4.8E+06 0.5 2.2E+08 0.6 1.1E+10 0.7 4.9E+11 0.8 2.3E+13 0.9 1.1E+15 1 5.1E+16 放大模式下电流 * 放大模式下电流关系 * 放大模式-共基极 * 共基电流增益α0 共基极放大模式 * 发射效率: 基区输运系数: 共基极放大模式 * 发射效率: 共基极放大模式 * 基区输运系数 : 在一理想晶体管中，已知各电流分量如下： IEp=3mA，IEn=0.01mA，ICp=2.99mA，ICn=0.001mA。 （a）发射效率γ， （b）基区输运系数αT， （c）共基电流增益α0， 放大模式下集电极电流 * 双极管四种工作模式 * 正向放大模式 饱和模式 截止模式 反向放大模式 共基组态输出特性 * VBC + - VBC IC 共基组态输出特性 * VBC 共基组态输出特性 * 饱和区，pn结均正偏 共射组态正向放大区 * 共射电流增益 BJT的放大作用 * 在一理想晶体管中，已知各电流分量如下： IEp=3mA，IEn=0.01mA，ICp=2.99mA，ICn=0.001mA。 （a）发射效率γ， （b）基区输运系数αT， （c）共基电流增益α0， （d）共射电流增益b0， 共射组态放大模式 * *