第9章S3C44B0_2410硬件结构与关键技术分析课件.ppt

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第9章S3C44B0_2410硬件结构与关键技术分析课件

内容提要 9.1 处理器简介 9.2 S3C44B0/ S3C2410存储控制器 9.3 S3C2410 NAND Flash控制器 9.4 S3C44B0/ S3C2410时钟电源管理 9.5 S3C44B0/ S3C2410通用 I/O端口 9.6 S3C44B0/S3C2410中断机制 9.1 处理器简介 S3C44B0 和 S3C2410为手持设备和普通应用提供了低成本、低功耗、高性能微控制器的解决方案。 为了降低整个系统的成本,S3C44B0 和S3C2410分别提供了很多内置功能部件,大大缩短了工程应用的开发周期。 9.1.1 S3C44B0微控制器 带8KB Cache的ARM7TDMI核。 内置系统存储控制器(片选逻辑,支持ROM、SRAM、Flash、FP/EDO/SDRAM)。 LCD控制器(支持256色的STN,集成1个DMA控制器)。 2个通用DMA控制器(ZDMA)/2个外围DMA控制器(BDMA)。 2个带硬件握手的UART控制器(符合550标准)/1个SIO。 1个支持多主设备的I2C控制器。 1个IIS总线控制器。 5个PWM定时器和1个内部定时器。 看门狗定时器Watch Dog。 71个通用可编程的I/O口和8个外部中断源。 具有8通道输入的10位ADC。 具有日历功能的实时时钟RTC。 功率控制模式:Nomal、Slow、Idle和Stop。 带锁相环PLL的片内时钟发生器。 S3C44B0内部结构下页图所示(教材《ARM嵌入式系统结构与编程》 217页图9-1),它采用了ARM7TDMI 内核,0.25um 工艺的CMOS 标准宏单元和存储编译器以及一种新的总线结构SAMBAII(三星ARM CPU 嵌入式微处理器总线结构)。 ARM7TDMI 体系结构的特点是它集成了Thumb 代码压缩器,片上的ICE断点调试支持和一个32 位的硬件乘法器。 外部引脚 9.1.2 S3C2410微控制器 与S3C44B0相比,基于ARM920T核架构的微控制器S3C2410具有更强大的功能,如图9-2 (教材《ARM嵌入式系统结构与编程》 218页)所示,其主要特点如下: 独立的16KB指令Cache和16KB数据Cache。 系统存储控制器(片选逻辑,支持ROM、SRAM、Flash、FP/EDO/SDRAM)。 LCD控制器(支持STN,TFT液晶显示屏,集成1个DMA控制器)。 内置系统存储控制器(片选逻辑,支持ROM、SRAM、Flash、FP/EDO/SDRAM)。 NAND Flash控制器 。 4个通道的DMA,支持存储器与IO之间的数据直接传输。 3个带硬件握手的UART控制器。 1个支持多主设备的I2C控制器。 1个IIS总线控制器。 2个SPI接口 2个USB主机接口,1个USB设备接口。 SD卡接口和MMC接口。 4个具有PWM功能的16位定时/计数器和1个16位内部定时器,支持外部的时钟源。 看门狗定时器Watch Dog。 117个通用可能编的I/O口和24个外部中断源。 具有8通道输入的10位ADC。 具有日历功能的实时时钟RTC。 功率控制模式:Nomal、Slow、Idle和Stop。 带锁相环PLL的片内时钟发生器。 9.2 S3C44B0/ S3C2410存储控制器 存储器是嵌入式系统的重要组成部分,在嵌入式开发中,扩展存储器是重要的一步。S3C44B0和S3C2410的存储器控制器提供访问外部存储器所需要的存储器控制信号,便于扩展外部存储器。 9.2.1 S3C44B0存储控制与地址空间 存储格式小/大端选择 地 址 空 间 分 布 S3C44B0的Bank6/7地址分布 9.2.2 S3C2410存储控制与地址空间 地 址 空 间 分 布 S3C2410的Bank6/7地址分布 9.2.3 S3C44B0/ S3C2410存储位宽控制 9.2.4 S3C44B0/ S3C2410存储器接口 1、ROM接口 4片8位ROM存储器接口 16位ROM存储器接口 2、SDRAM接口 单片16位 SDRAM存储器接口 2片16位 SDRAM 存储器接口 9.2.5 S3C44B0/ S3C2410存储控制寄存器 总线宽度和等待控制寄存器(BWSCON) 详细信息见教材《ARM嵌入式系统结构与编程》 227页表9-6 2.总线控制寄存器 (1)(BANKCONn:nGCS0-nGCS5): 总线控制寄存器BANKCON0~ BANKCON5位信息如表9-7所示。详细信息见教材227页表9-7 BANK控制寄存器(BANKCONn?:nGCS6-nGCS7): 总线控制寄存器BANKCON6、BANKC

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