直流磁控溅射工艺对ITO 薄膜光电性能的影响.pdf

第44 卷第7 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 44 ，No. 7 2 0 1 6 年 7 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY July ，2016 DOI ：10.14062/j.issn.0454-5648.2016.07.12 直流磁控溅射工艺对ITO 薄膜光电性能的影响 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 彭 寿 ，蒋继文 ，李 刚 ，张宽翔 ，杨 勇 ，姚婷婷 ，金克武 ， 1,2 1,2 1,2 曹 欣 ，徐根保 ，王 芸 (1. 浮法玻璃新技术国家重点实验室，安徽 蚌埠 233000 ；2. 蚌埠玻璃工业设计研究院，安徽 蚌埠 233018) 摘 要：采用直流磁控溅射系统在玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜。通过 X 射线衍射仪、扫描电子显微镜、分光光度 计、Hall 效应测试系统研究了热退火与原位生长、衬底温度、直流溅射功率对薄膜结构、表面形貌以及光电性能的影响。结 果表明：与室温生长并经410 ℃热退火后的薄膜相比，410 ℃原位生长可获得光电性能更好的薄膜；随着衬底温度的增加， 电阻率单调减小，光学吸收边出现蓝移；在溅射功率为85 W 时薄膜的光电性能达到最佳。在衬底温度为580 ℃、溅射功率 –4 为85 W 的工艺条件下，可制备出电阻率为1.4×10 Ω·cm、可见光范围内平均透过率为93%的光电性能优异的ITO 薄膜。 关键词：直流磁控溅射；氧化铟锡薄膜；衬底温度；溅射功率 中图分类号：TB34 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2016)07–0987–08 网络出版时间：2016–05–30 10:27:26 网络出版地址：/kcms/detail/11.2310.TQ1027.005.html Effect of DC Magnetron Sputtering Process on Optical and Electrical Properties of ITO Thin Films PENG Shou 1,2, JIANG Jiwen 1,2, LI Gang 1,2, ZHANG Kuanxiang1,2, YANG Yong1,2, YAO Tingting1,2, JIN Kewu 1,2, CAO Xin1,2, XU Genbao 1,2, WANG Yun1,2 (1. State Key Laboratory of Advanced Technology for Float Glass, Bengbu 233000, Anhui, China; 2. Bengbu Design Research Institute for Glass Industry, Bengbu 233018, Anhui, China) Abstract: The indium tin oxide (ITO) thin films were deposited o