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水热合成Sb_2Se_3纳米线及_省略_2Te_3纳米粉末热电性能的影响_张艳华
第 25 卷 第 6 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 25 No. 6
2010 年 6 月 Journal of Inorganic Materials Jun. , 2010
文章编号: 1000-324X(2010)06-0615-06 DOI: 10.3724/SP.J.1077.2010.00615
水热合成 Sb Se 纳米线及其对 Bi Te 纳米粉末热电性能的影响
2 3 2 3
1, 2 1 2 1 1 1
张艳华 , 徐桂英 , 郭志敏 , 韩 菲 , 王 泽 , 葛昌纯
(1. 北京科技大学 特种陶瓷与粉末冶金研究所, 北京新能源材料重点实验室, 北京 100083; 2. 装备指挥技术学院
士官系, 北京 102249)
摘 要: 以 SbCl 和 Se 粉为原料, 水合肼(N H ·H O)为还原剂, 采用水热法在 150℃下, 分别保温不同的时间合成
3 2 4 2
Sb2 Se3 纳米粉末. 通过 X 射线衍射(XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM) 、透射电镜(TEM) 以及高分辨透射电镜
(HRTEM)等分析方法对产物的物相成分和微观形貌等进行了表征, 实验结果表明保温时间达到 24h 时, 获得产物
为单相 Sb Se 纳米线晶体. 根据实验结果还研究了水热合成 Sb Se 纳米线晶体可能的反应及生长机理, 结果表明
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一维纳米线沿[001]方向生长, 纳米线的形成与其独特的层状晶体结构有关. 最后采用放电等离子体快速热压烧结
法将水热合成的 Bi Te 纳米粉末与不同含量 Sb Se 纳米线进行复合, 分析了 Sb Se 纳米线对 Bi Te 纳米材料热电
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性能的影响, 发现复合约 1 at% Sb Se 纳米线可以使 Bi Te 纳米材料热电性能有一定提高.
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