几种LED衬底材料特征对比与研究现状.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 科 学 技 术 与 工 程 Vol.6 No.2 Jan.2006 6 2 2006 1 ( ) c 期1671-1815200602-0121-06 ScienceTechnologyandEngineering 2006 Sci.Tech.Engng. 2 王如刚,等:几种LED衬底材料的特征对比与研究现状 晶体学 几种LED衬底材料的特征对比与研究现状 , 1 12 1 王如刚 陈振强 胡国永 1 2 (暨南大学光电工程研究所 ,理工学院光电工程系 ,广州 ) 510632 摘 要 概述了 用衬底的三种物质氧化铝、炭化硅、氧化锌各自的特性,衬底选取的原则,得出它们作衬底的优缺点及其研 LED 究现状。 关键词 SiC ZnO AlO LED发光二极管 2 3 中图法分类号 O73; 文献标识码 A 随着新世纪高科技的发展和国民建设需要,固 点见表 所示。 1 体照明光源、通讯光源等新型光源获得了快速发 目前,对于 薄膜材料还没有体单晶 可 GaN GaN 展,以各类技术发展起来的高亮度LED已经开始出 以进行同质外延,而是依靠有机金属气相沉淀法 现在市场上。由于 具有低工作电压( )、低 ( )在相关的异型支撑衬底上生长的。基本工 LED 2～4V MOCVD 功耗(几十至一百毫瓦)、高效率、长寿命(可连续工 艺是在衬底上依次镀上 、 、 、 n-GaNn-AlGaNInGaNp- 作几万小时)、固体化、响应速度快 (零点几微秒 、 等,再经过划片、封装等一系列工艺 AlGaNp-GaN 级)、驱动电路简单等特点,所以其应用范围涉及到 过程才能够完成。这种MOCVD制备半导体发光材料 多个行业。随着LED的主要材料GaN外延生长工艺 的基本结构可以有同质结构、异质结构、超晶格结 和器件制作工艺日臻成熟,已经形成了从红外、可 构、量子阱结构等。由于使用支撑衬底材料的不同, [,] 12 见、白光及少量紫外多个波段的固体光源 。2002 制作的 和 等半导体器件无论在性能上还是 LED LD 年全球 市场规模为 亿美元,年增长逾 ,据 在制作工艺复杂程度和工艺流程上都有很大差别。 LED 36 20% 美国权威市场调研公司 年 月的调查数据, 如图 所示了