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本次课内容 1、什么是半导体 2、半导体的三大特性 4、半导体的共价键结构 5、本征半导体和杂质半导体 6、PN结及其单向导电性 7、二极管及其特性和应用 8、特殊二极管及应用举例 9、单相桥式整流电路 10、滤波电路 11、稳压二极管稳压电路 8-2 基本放大电路 8-4 放大电路的图解法分析 8-5 工作点稳定的放大电路 8-6 射 极 输 出 器 8-7 多级放大电路 8-8 功 率 放 大 器 本次课内容 1、半导体三极管 2、基本放大电路 3、放大电路的工程估算法 4、放大电路的图解法分析 5、工作点稳定的放大电路 6、射极输出器 7、多级放大电路 8、功率放大电路 作业： P.241. 分析与思考 P.244. 分析与思考 P.269. 9.3.1 9.4.5 又叫晶体三极管，简称三极管或晶体管。 一、三极管的结构 三极管的内部结构为两个PN结，由三层半导体区形成的。 三极管的结构特点： (1) 基区很薄，且掺杂浓度低；(2) 发射区掺杂浓度比基区和集电区高得多；(3) 集电结的面积比发射结大。 二、三极管的电流放大作用 根据实验可得：(1)IE=IC+IB ，且IC《 IB (3) 当IB有微小变化时，IC即有较大的变化。即β值一般较大。 (2) 基极电流IB增大时, 集电极电流IC也随之增大 三极管的电流放大作用。近似认为 ≈β。 三、三极管的特性曲线 （1） 输入特性曲线 （2）输出特性曲线 四、三极管的工作状态：截止、放大和饱和。 放大状态的条件：发射结正偏和集电结反偏。 放大区的特征：IC由IB决定，具有恒流的特性。 截止状态条件：基极开路或发射结反偏。 当三极管截止时，c、e之间的电压基本上等于UCC，而IC≈0，故三极管呈现出高电阻，c、e之间相当于断路。 饱和状态：发射结、集电结都正偏。 当三极管饱和时，无放大作用。基极电流的变化不会再引起集电极电流的改变。 硅管的UCES≈0.3 V，锗管UCES≈0.1V。 判断三极管饱和的条件是： 五、三极管主要参数 （1）电流放大倍数 （2）穿透电流ICEO （3）集射极反向击穿电压UCE（BR） （4）集电极最大允许电流ICM：集电极电流超过一定值时，β值将显著下降。β值下降到规定允许值（额定值的2/3）时的集电极电流值叫集电极最大允许电流。 （5）集电极最大允许功耗PCM 结温过高，管子将烧坏。集电结最大允许承受的功率叫集电极最大允许功耗：UCE·IC＜PCM。 共(发)射极连接的单管交流放大电路是三极管放大电路的基本形式。 一、放大电路各元件的作用 二、放大电路的工作状态 （1）放大电路没有信号输入的情况（静态） （2）放大电路有输入信号的情况 （1） 三极管的线性化电路模型 输入回路：当三极管输入回路仅有很小的输入信号时，ib只能在静态工作点Q附近作微量变化，在Q点附近基本上是一段直线，此时三极管输入回路可用一等效电阻代替。 微变等效电路法： 当放大器中的交流信号变化范围很小时，三极管基本上可以看成是在线性范围内工作的。 ? 对于小功率三极管，当IE=（1～2）mA时，rbe约为1kΩ。  输出回路：当三极管输入回路仅有微小的输入信号时，可认为输出特性曲线是一组互相平行且间距相等的水平线。 （2）共发射极放大器的小信号等效电路 交流指标的估算 2） 放大器的输入电阻ri 放大电路的输入端和信号源相连接，放大电路相当于信号源的一个负载。该负载即为放大器的输入电阻:ri=Rb∥rbe 3） 放大器的输出电阻 放大电路的输出端和负载相连。对负载来说，放大电路相当于一个有内阻的信号源。这个信号源的内阻便是放大器的输出电阻。  ro=Rc 注意：ri和ro都是放大电路的交流动态电阻。一般情况下，要求输入电阻尽量大一些，以减小对信号源信号的衰减；输出电阻尽量小一些，以提高放大电路的负载能力。 一、放大电路无信号输入的情况（静态） 静态工作点的确定：直流负载线MN和IB（静态基极电流）的交点Q便是静态工作点 二、放大电路有信号输入后的情况 （3）接入负载电阻RL时的电压放大倍数 三、