DS1856及校准方式.docVIP

DS1856双路、温度控制电阻器，具有内部校准监测器和加密保护 型号： 封装： 电阻典型值： DS1856使用一系列开关和电阻在不同的电阻设置之间进行转换。当设置改变时，开关以先合后断的方式切换到新的设置。以一个具体转换为例，当从10h (16d)转换至任意一个小于10h的值时，瞬态电阻会瞬间(大约4至16ns)变为00h设置值。电阻过小可能导致发射端的瞬态电流过大，导致Tx_Fault。 典型应用电路 1856寄存器访问和使用方法 芯片的访问地址，在多片使用时，可以给芯片编写地址。在芯片访问地址设置不同时，片内程序空间的组织差异很大大。由如下的表设置可以决定芯片之地址。 1856的片内存储可以分为两部分MAIN（主要）和AUXILIARY（辅助） 如上图ADEN=0，MAIN和AUXILIARY每部分都有唯一地址，这时一个1856就有两个从机地址：MAIN（A2h）和AUXILIARY（A0h），其中MAIN的地址还可以自定义（设置在Table03 0x8Ch ADFIX=1）。80H-FFh地址被多个Table映射，此时如果要访问这些地址，先要对从机（A2H芯片地址）的7Fh（寄存器）做设置（写），然后7Fh所对应的TABLE，在访问时才和地址映射上。 如上图ADEN=1，这时1856只有一个地址A2H（ADFIX=0）或者自定义地址（先写地址在Table03 8CH，然后令ADFIX=1），这时AUXILIARY内容变成Table0和Table1的表，和其它的table一样占用80h-FFh的地址，访问前要先写表的地址。这种结构是用来和之前1858/59/52兼容的。 ADEN，ADFIX在TABLE03的89H（config）里 B7 B5 B4 TABLE03的8CH（Chip ADDR）用于自定义芯片地址 模拟输入监控 可以监控VCC，三个模拟输入量MON1-3，芯片温度TEMP。结构如下 由图可知五路模拟量的监控由模拟开关MUX来控制选择哪一个通道。 模拟输入之后先经过了一个内部校准INTERNAL CALIBRATION。 此内部校准与我们平时说的内校不是一个概念。 AD的12个位直接连在总线上，剩下4位需要和移位寄存器来移出。 AD值有16位。计量MON时一个点38.147uV。（2.4997/65528） 计量温度的时候比较特殊，高8位若小于128则为+，计为整数部分，低8位是小数部分，最低权1/256。若高8位=128则为-，所有值要减去256方为温度的结果。 可变电阻 H0+L0 H1+L1是两路数字电阻器的输入，结构如下，主要是用来调偏置电阻和调制用。 其阻值有50/30/20/10/2.5K，取决于芯片的类型和设置。线性度不错。 应用方法有查表式和手动式两种： 可以按两度为一个点给每温度点设置电阻值-40°C to +102°C，由此可以根据温度点查表变换电阻值。 Table03中TEN位置，TEN=0为手动模式 当手动模式时，设置0x82h与0x83h的值，就是设置光功率电阻与消光比电阻值。 当自动模式时，0x82h的值为Table04中LUT根据温度点映射出来的值，0x83h为Table05中LUT根据温度点映射出来的值。 设置密码 密码用4个byte来表示，有两级密码，分别有不同的权限。 Level1：第一级PW1，这个密码设置在Table03的寄存器B0H-B3H中。设置这个密码必须要有二级权限。这个密码是无法读取的。这个权限下可以访问table00和table01。 Level2：第二级PW2，这个密码设置在Table03的寄存器B4H-B7H中。设置这个密码也必须要有二级权限。这个密码是无法读取的。这个权限可以访问所有寄存器。 访问芯片时输入密码的寄存器为PWE，位于MAIN的7BH到7EH中。 当输入不正确的时候，只能工作于用户入口，这时只有读取监视和状态的功能。 Table03中PW1和PW2密码存储位置，密码都是不可读取的。 密码的使用方法： 当芯片上电后，PWE初始值是FFFFH，这时如果本身PW2是这个值，那么一上电就有二级权限，相当于密码功能关闭了。芯片买回来时应该是处于密码关闭状态。 当密码输入正确后将获得权限，除非再掉电或者更改了密码。 校准： 温度与电压不用我们校准，美信出厂时已经校准完成。 发射、接收、偏流三路的校准过程一样。 主要涉及的参数有右移位（right-shift），增益（Gain\ Scale），偏移（Offset）。 在表3中 对于右移位来说： 对于增益来说： gain_result = 0h; For n = 15 down to 0 begin gain_result = gain_result + 2^n; F