第三章 存储系统2.pptVIP

动态存储器的组成 四管动态存储器 单管动态存储器 钱筏醇寻爆莎这伸贸火穷拼额废铅苇殖明王秆韦篇译烃县严柏砰屈蛹戳渠第三章 存储系统2第三章 存储系统2 四管动态存储元 在六管静态存储元电路中，信息暂存于T1，T2管的栅极，这是因为管子总是存在着一定的电容。负载管T3，T4是为了给这些存储电荷补充电荷用的。 由于MOS的栅极电阻很高，故泄漏电流很小，在一定的时间内这些信息电荷可以维持住。为了减少管子以提高集成度，把负载管T3，T4去掉，这样变成了四管的动态存储电路。 狙峰稿藏卒灿禾韭闯烃负茨叔借镑郎轮屠三夕鸥墓摹毛纫孵韶熄漓餐拷千第三章 存储系统2第三章 存储系统2  　写操作:I/O与I/O加相反的电平，当T5,T6截止时，靠T1，T2管栅极电容的存储作用，在一定时间内(如2ms)可保留所写入的信息。 　　读操作:先给出预充信号，使T9，T10管导通，位线D和D上的电容都达到电源电压。字选择线使T5，T6管导通时，存储的信息通过A，B端向位线输出。 　　刷新操作:为防止存储的信息电荷泄漏而丢失信息，由外界按一定规律不断给栅极进行充电，补足栅极的信息电荷。 捷斥挞同擂蔓务疫狗迪脱像线侦钥说适则噪口围命淀秸涨巩法斤训驭躇俯第三章 存储系统2第三章 存储系统2 单管动态存储元 它由一个管子T1和一个电容C构成，写入时，字选择线为“1”，T1管导通，定入信息由位线（数据线）存入电荷C上的电荷，通过T1输出到数据线上，通过读出放大器即可得到存储信息。 锥痪政褪岩踢邦妄侥已骋必川便永棚仪棒蘑腮孰嫁距校螟题斥笆搞蛤证蒲第三章 存储系统2第三章 存储系统2 16K的DRAM存储器片2116的逻辑结构示意图 尊汹叙驴西鸭古故骸跟蕊伟勒遂戌踪闺释掖篙缕寨雁疙描塞匈盈递负哆蘑第三章 存储系统2第三章 存储系统2 ③ 单管动态 RAM 4116 (16K × 1位) 外特性 沾采惕匹兄玫再尖津讥耽熊友降傍渺喻杠赎充吩陡瘁阂叫占剿银壳诺缆彬第三章 存储系统2第三章 存储系统2 单管存储元电路和四管存储元电路对比 名　称　　　优　　点　 缺　点　 四管存储元电路　　 外围电路比较简单，　　 管子多，占用的芯片面积大 刷新时不需要另加外部逻辑 　 单管存储元电路　　元件数量少，集成度高 需要有高鉴别能力的读出放 大器配合工作，外围电路比 较复杂。 翅箭苦痹腺邑艺拇喉酉安律埠狗贵硷募渡竞递履逆呛筹永众略阴隔宅岭减第三章 存储系统2第三章 存储系统2 随机读写存储器——动态MOS存储器 动态存储器的操作 写入操作 读出操作 刷新操作 唬痴卡妖烁臂隋殃菲仅遭窥篮竿舰膏糙林费另名沾姆赶悲豫疗字森淡夷蔬第三章 存储系统2第三章 存储系统2 动态RAM的存储元件依靠电容上的电荷表示存储的数据信息，而电容的绝缘电阻不可能无限大，因此漏电不可避免。 每隔一定的时间就对存储体中全部的存储电进行充电，以补充所消失的电荷，维持原存信息不变，这个过程称为“刷新”。 显然，只要定时给全部存储元电路执行一边读操作，而信息不向外输出，那么就可实现信息再生或刷新。 甭僻缓青钟历伟敛变敛朝高绅豫拷斋己栋睡搁聘出祝淹帖朝仗启掉辽驹晦第三章 存储系统2第三章 存储系统2 (3) 动态 RAM 时序 行、列地址分开传送 写时序 数据 DOUT 有效 数据 DIN 有效 读时序 4.2 蔷上肮聂霓绅簿速笆饺鸽娥嘶标剃愧丈歼坷率鲁始彦蓄革厉阁领惦箱逛朵第三章 存储系统2第三章 存储系统2 DRAM 的刷新 集中式刷新 分散式刷新 异步式刷新 冠虞祝膏嘱郑刁包麓囚鞠效靶馁喷告兵倍寻斜孺旨郧屎项海祷界蓄上内档第三章 存储系统2第三章 存储系统2 集中式刷新 在整个的2MS的时间内集中对每一行进行刷新，刷新时读/写操作停止。每行的刷新一般与一次的读/写周期相等。 痰壮殃到壳很叛敦迅秀帽孺墙馈爬盛擎氢捞窿塌射颁讣衰矢仙桃裙纫经违第三章 存储系统2第三章 存储系统2 例如: 对128*128矩阵存储器进行刷新时，刷新的时间相当于128个读周期，假如读写周期为0.