器件考试题A卷.docVIP

电子科技大学成都学院二零一一至二零一二学年第二学期 微电子器件A卷课程考试题（120分钟）闭卷 考试时间： 教师姓名： 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 评卷教师 一、填空题（1x 20分） 1、在N型半导体中，（ ）为多数载流子，（ ）为少数载流子。 2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（ ），N区一侧带（ ）电荷。 3、势垒电容反映的是PN结的势垒区电离杂质电荷随外加电压的变化率。PN结的掺杂浓度越高，则势垒电容就越（ ）；外加反向电压越高，则势垒电容就越（ ）。 4、为了提高晶体管的基区输运系数，应当使基区宽度（ ）基区少子扩散长度。 5、晶体管的共发射极直流短路电流放大系数β是指，发射结（ ）偏、集电结（ ）偏时的（ ）电流与（ ）电流之比。 6、当（ ）降到1时的频率称为最高振荡频率fM。 7、对于频率不是特别高的一般高频管，提高特征频率fT的主要措施是（ ）。 8、MOSFET是利用外加电压产生（ ）来控制漏极电流大小，因此它是（ ） 控制器件。 9、跨导gm反映了场效应管（ ）对（ ）控制能力，其单位 是（ ） 10、要提高N沟道MOSFET的阈电压VT ，应使衬底掺杂浓度NA（ ），使栅氧化层厚度Tox（ ）。 二 选择题（10分） 1、当PN结外加正向偏压时，扩散电流（ ）漂移电流，当外加反向偏压时，扩散电流（ ）漂移电流。 A 大于，B.小于，C等于，D 不定 2、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（ ），势垒区的势垒高度会（ ）。 A 变宽， B变窄，C 变高，D 不变 3、P＋N结耗尽层宽度主要取决于（ ）： A p＋区浓度，　 B n区的浓度，　　　C P＋区和n区的浓度 4、限制双极结型晶体管最高工作电压的主要因素是（ ）： A 雪崩击穿电压， B基区穿通电压， C雪崩击穿电压和基区穿通电压的较小者 5、对于实际的增强型MOSFET，简单说明阈值电压（VT）包括哪几个部分的电压分量（ ）（多选） A栅氧化层上的电压Vox，B平带电压VFB ，C源漏电压VDS D 使半导体表面产生强反型层（沟道）所需要的电压2φFP 6. 晶体管基区运输系数主要决定于（ ）：A 基区浓度， B基区电阻率和基区少子寿命，　C基区宽度和基区少子扩散长度 三、判断题（10分） 1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电 ( ) 2、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度 小，扩散电流小。( ) 3、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小 。( ) 4、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。( ) 5、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( ) 四、问答题（30分） 解释PN结内建电场，缓变基区晶体管内建电场。 2、降低基区掺杂浓度会对晶体管的各种特性，如、、、、、等产生什么影响？ 3、什么是双极晶体管基区宽度调变效应，什么是基区穿通效应？ 4、写出四种类型MOSFET的符号，输出特性和转移特性曲线 5、简述MOSFET击穿电压的类型和产生的原因 五、计算题（30分） 1、某突变PN结的，试求和的值，并求当外加0.5V正向电压时的和的值。 2、某均匀基区晶体管的，求该晶体管的和。 3、有一个处于饱和区的N沟道MOSFET，当VGS1 = 3V时测得IDsat1 = 3mA ，当VGS2 = 4V时测得IDsat2 = 12mA，试求该MOSFET的阈电压VT和增益因子β之值。