关于介质损耗测试.docxVIP

关于介质损耗的一些基本概念 1、介质损耗什么是介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。2、介质损耗角δ在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角(δ)。 简称介损角。3、介质损耗正切值tgδ又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。介质损耗因数的定义如下:如果取得试品的电流相量 和电压相量 ，则可以得到如下相量图：　　总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，因此：这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。因此现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量δ或者Φ得到介损因数。测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。绝缘能力的下降直接反映为介损增大。进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。测量介损的同时，也能得到试品的电容量。如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路，电容量就有明显的变化，因此电容量也是一个重要参数。4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值，意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。功率因数的定义如下:　　　有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ)，而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。一般cosΦtgδ，在损耗很小时这两个数值非常接近。5、高压电容电桥高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。通过比对电流相位差测量tgδ，通过出比电流幅值测量试品电容量。因此用电桥测量介损还需要携带标准电容器、升压PT和调压器。接线也十分烦琐。国内常见高压电容电桥有：　型 号生产厂家性 能2801Haefely西林电桥，手动调节，介损相对误差0.5%，试验室使用。其改进型为2809A。QS30上海沪光厂电流比较仪电桥，手动调节，介损相对误差0.5%±0.00005，试验室使用。QS1上海电表厂西林电桥，手动调节，介损相对误差10%±0.003，现场测量用。支持正反接线，移相或到相抗干扰。AI-6000分体型泛华电子自动调节，红外线遥控，介损相对误差0.2%±0.00005，现场或试验室用。支持正反接线，移相或倒相抗干扰。配合变频电源可变频抗干扰。6、高压介质损耗测量仪简称介损仪，是指采用电桥原理，应用数字测量技术，对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。AI-6000利用变频抗干扰原理，采用傅立叶变化数字波形分析技术，对标准电流和试品电流进行计算，抑制干扰能力强，测量结果准确稳定。国内常见高压介质损耗测量仪有：　型 号生产厂家性 能2816Haefely高压输出12kV/200mA,介损误差1％±0.0001(抗干扰方式、指标不祥，估计是移相),正反接线方式，C / L / R测量，总重量104kg。M4000DOBLE高压输出10kV/300mA,介损误差1％±0.0004(变频抗干扰，20倍）,正反接线方式，C / L / R测量，笔记本＋WINDOWS，45～70Hz，重量66kg。AI-6000泛华电子10kV/200mA，介损误差1％±0.0004，变频法45～65Hz，抗干扰2：1，正、反（含高、低压侧屏蔽）接线方式，CVT自激法，C / L / R测量，模拟西林电桥和电流比较仪电桥，试验室介损精度达到精密电桥标准，29kg。7、外施使用外部高压试验电源和标准电容器进行试验，对介损仪的示值按一定的比例关系进行计算得到测量结果的方法。8、内施使用介损仪内附高压电源和标准器进行试验，直接得到测量结果的方法。9、正接线用于测量不接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于地电位。10、反接线用于测量接地试品的方法，测量时介损仪测量回路处于高电位，他与外壳之间承受全部试验电压。11、常用介损仪的分类现常用介损仪有西林型和M型两种，QS1和AI-6000为西林型。12、常用抗干扰方法在介质损耗测量中常见抗干扰方法有三种： 倒相法、移相法和变频法。AI-6000采用变频法抗干扰，同时支持倒相法测量。13、准确度的表示方法tgδ：±（1%D+0.0004）Cx： ±（1%C+1pF）+前表示为相对误差，+后表示为绝对误差。相对误差小表示仪器的量程线性度好，绝对误差小表示仪器的误差起点低。校验时读数与标准值的差应小于以上准确度，否则就是超差。14、抗干扰指标抗干扰指标为满足仪器准确度的前提下，干扰电流与试验电流的最大比例，比例越大，抗干扰性能越好。AI-6000在200%干扰（即I干扰 / I试品≤2）下仍能达到上述准确度。　介损与频率的关系及变频测量原理 （泛华电子） 1、变频测量原理干扰十分严重时，变频测量能得到准确可靠的结果。例如