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SAWデバイスの周波数-温度特性許容入力の改善 富士通との共同研究 LiTaO3ウェハSAW TCF: 40 ppm/?C LiTaO3/Sapphier 接合ウェハ TCF: 20 ppm/?C 熱伝導率 LiTaO3: 5 W/mK Sapphier: 42 W/mK 許容入力の増大 Frequency and temperature characteristics Resonator response LiTaO3/sapphire has lower loss and better thermal stability. LiTaO3 LiTaO3/sapphire Temperature characteristics Lower loss Miura, et. al, 2nd International Workshop on Low Temperature Wafer Bonding for 3D Integration SAW filter die LT LT/sapphire Tx Rx Antenna Ceramic package Applied power 0.8 W at 60 °C Tx Rx LT/sapphire suppresses heating Tx Rx 60 70 80 90 100 Temperature [°C] 60 70 80 90 Temperature [°C] Temperature characteristics and power durability improved. 常温接合装置の開発と市販化 研究試作用接合装置 量産用接合装置 ?1セット（1接合）単位の処理 ?研究試作用ながら高いスループット ?搬送系、アライナ等全ての機能をオールインワンでサポート ?わかりやすい操作（半自動） ?使いやすいユーザインタフェース ?25セット（25接合）を連続して処理（Cassette to Cassette) ?高いスループット ?強力なレシピ管理機能による多品種少量生産対応（異種部品、異プロセス条件をセットごとに設定可能） ?高い自動化レベル：自動搬送、自動アライメント ?使いやすいユーザインタフェースと生産管理機能 資料提供：三菱重工 異種ウェハ接合 （熱応力） ウェハ常温接合の応用分野 ウェハ常温接合 SAWフィルタ 圧電材料 マイクロデバイス の高精度接合 ３次元LSI ３次元実装 MEMSパッケージング その他 Layer Transfer Photonic ＩＩＩ－Ｖ半導体 ご静聴ありがとうございました * 要検討：パッケージから接合にうまく話をつなげる ウェハスケールでの接合により多数のデバイスを一括処理 ダイシング前にMEMSの構造を保護 信頼性の高い直接接合 パッケージングの小型化 * * * * * * * * * ここまでは同種接合 異種材料接合 * * * * In this slide, the graph on the left plots the frequency characteristics of 1 port resonators using conventional LiTaO3, shown by the gray line, and a bonded LiTaO3/sapphire substrate, shown by the red line. The LiTaO3 thickness in the bonded substrate was 37 microns, for a ratio of about 18 between the thickness and the SAW wavelength. As you can see, the bonded LiTaO3/sapphire substrate greatly suppressed the spurious responses and had a lower loss than the conventional LiTaO3 substrate. The lower loss results from the lower relative dielectric constant of sapphire, about 10, compared to 40 for LiTaO3. The graph on the right plots the temperature characteristics of the resonant and anti resonant frequencies of the 1 port resonator. T