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830半导体物理样题
山东大学硕士研究生入学考试半导体物理试题样题 一、名词解释（共 5 题，每题 6 分） 1、极性半导体 2、受主杂质 3、金刚石结构 4、晶格振动散射 5、弗仑克耳缺陷 二 、简述（共 2 题，每题 10 分） 1、简述耿氏效应及其形成机理。 2、简述半导体中主要的光吸收过程。 三、问答（共 4 题，每题 10 分） 1、为什么硅半导体器件的工作温度比锗器件高？ 2、为什么非简并半导体中载流子分布可以用玻耳兹曼分布描述而简并半导体则必须用费米分布来描述？ 3、本征半导体电阻率随温度如何变化？ 4、宽禁带半导体与窄禁带半导体在光学性能上主要有哪些差异？ 四 、计算（共 1 题，每题 30 分） 1、晶格常数为2.5 ?的一维晶格，当外加102 V/m和107 V/m电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需时间。 五、分析（共 1 题，每题 30 分） 解释图中曲线簇为什么在低温时发散，高温时集中？ 1
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