第1章半导体二极管和三极管2..pptVIP

3.稳压二极管 3 主要参数 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 (4) 稳定电流IZ 指稳压管工作在稳压状态的参考电流。 3.稳压二极管 4 稳压管稳压电路 (1) 稳电管正向偏置时，相当于一个普通二极管正向偏置的情况。 (2) 稳压管反向偏置时 当外加反向电压小于稳压管的稳定电压时，稳压管截止，可视为开路。 当外加反向电压大于或等于稳压管的稳定电压，并且流过稳压管的电流满足一定要求时，稳压管稳压。 3.稳压二极管 稳压二极管的稳定电压UZ = 5V，正向压降忽略不计。当输入电压Ui 分别为 直流10 V、3 V、-5V时，求输出电压UO；若 ui = 10sin ωtV，试画出 uo 的波形。 DZ R uo ui + + – – Ui = 10V： DZ 工作在反向击穿区，稳压，UO = UZ = 5V Ui = 3V： DZ 反向截止，UO = Ui = 3V Ui = -5V： DZ 工作在正向导通状态，UO = 0V 3.稳压二极管 ui = 10sinωtV： ui正半周，当ui UZ，DZ 反向击穿，uO = 5V 当ui UZ，DZ 反向截止，uO = ui ui负半周，DZ 正向导通，uO = 0V ui 10V 5V 4.半导体三极管 1 基本结构 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 N N P 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 4.半导体三极管 结构特点： 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结：面积大 B E C N N P 基极 发射极 集电极 集电区： 面积最大 4.半导体三极管 2 工作状态 （1）晶体管中电流的分配 三极管放大的外部条件: B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 PNP：VCVBVE 从电位的角度看： NPN：VCVBVE 4.半导体三极管 各电极电流关系及电流放大作用 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 三电极电流关系 ： IE = IB + IC IC ?? IB ， IC ? IE ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 4.半导体三极管 （2）晶体管中载流子运动过程 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 　进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE ，多数扩散到集电结。 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 4.半导体三极管 （2）晶体管中载流子运动过程 ＋ ＋ － － Ucc UBB RB RC B E C 4.半导体三极管 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与IBE 之比称为共发射极直流电流放大倍数 若IB =0, 则 IC? ICE0 * 第1章 半导体二极管和三极管 1.理解PN结的单向导电性。 2.了解半导体二极管的基本类型、伏安特性和主要参数，了解二极管的整流作用、钳位作用和限幅作用。 3.了解稳压二极管的主要特性及其稳压作用。 4.了解双极型晶体管的基本类型、特性曲线和主要参数，理解晶体管的三种工作状态。 基本要求： 1 半导体的导电特性 第1章 电路的基本概念和基本定律 半导体二极管 2 半导体三极管 4 稳压二极管 3 1.半导体的导电特性 1.物质的导电性 自然界中的物质按照导电能力可分为导体、绝缘体与半导体。 导体：导电能力良好的物体，如银、铜、铁等。 绝缘体：不能导电或导电能力很差的物体，如橡胶、陶瓷、玻璃、塑料等。 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物体。 1.半导体的导电特性 典型的元素半导体有硅Si和锗Ge，此外，还有化合物半导体砷化镓GaAs等。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 内层