低频电路B003.pptVIP

1.4 半导体三极管 1.4.1 结构与符号 1.4.2 工作原理 1.4.3 特性曲线 1.4.4 参数 1.4.5 型号 1.4.1 结构与符号 两种类型:NPN和PNP 1.4.1 结构与符号 外部条件： 另外还有支流 IEP 、ICBO 四、放大作用 三种组态 1.4.3 特性曲线 1.4.4 参数 分为三大类: 1. ICBO O(Open) 2.共基~ α=?IC/?IE? VCB=const (3)极限参数 ①ICM IC上升时 ?会下降， ?下降到线性放大区?值的70％时所允许的电流。 ③反向击穿电压（V(BR)XXO） 1.V(BR)CBO—— 发射极开路时的 集电结击穿电压。 BR（Breakdown） 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定三区： 1.4.5 半导体三极管的型号 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 表02.01 双极型三极管的参数 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。 共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以iB为参变量的一族特性曲线。现以其中任何一条加以说明，当vCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当vCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如 vCE 1 V vBE=0.7 V vCB= vCE- vBE= 0.7 V 集电区收集电子的能力很弱，iC主要由vCE决定。 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 当vCE增加到使集电结反偏电压较大时，如 vCE ≥1 V vBE ≥0.7 V 运动到集电结的电子 基本上都可以被集电 区收集，此后vCE再增 加，电流也没有明显 的增加，特性曲线进 入与vCE轴基本平行的 区域 (这与输入特性曲 线随vCE增大而右移的 图02.06 共发射极接法输出特性曲线 原因是一致的) 。（ * 三极管图片 一、结构 e(Emitter) ：发射极 b(Base） ：基极 c(Collector)：集电极 发射结(Je) 集电结(Jc) 基区 发射区 集电区 三极: 三区: 两节: 特点:b区薄 e区搀杂多 c区面积大 e,b,c Je,Jc 二、符号 *Je箭头: P N 1.4.2 工作原理 一、放大条件 二、内部载流子的传输过程 三、电流分配关系 四、放大作用 一、放大条件 电位关系： 内部条件？ 三区掺杂不同！ Je正偏， Jc反偏。 对NPN型：VC ＞ VB ＞ VE 对PNP型：VC ＜ VB ＜ VE 集电区 发射区 基区 Je Jc IB (1) (2) (3) IE IC 扩散 漂移 正偏 反偏 复合 二、内部载流子的传输过程 忽略支流： IE =IC+IB 三、电流分配关系 IE =IC+IB 应用：共射电压放大 电流放大(控制）作用 问题1：若两个PN结对接，三极管有无 电流放大作用。 问题2：为什么当温度升高时，三极管 将失去放大作用？ 输入特性曲线—— iB=f(vBE)? vCE=const 输出特性曲线——iC=f(vCE)? iB=const 共射接法 图02.04 共射接法的电压-电流关系 (1) 输入特性曲线 方程： iB=f(vBE)? vCE=const 曲线：如图 (2) 输出特性曲线 方程： iC=f(vCE)? iB=const 曲线： 饱和区 放大区 截止区 发射结 集电结 正偏 正偏 正偏 反偏 反偏 反偏 三区偏置特点： 例1：测量三极管三个电极对地电位如图 试判断三极管的工